硫桥接核壳结构Ni(OH)2-S/ZIF-67电极的构筑及其卓越电化学性能研究
《Journal of Alloys and Compounds》:Introducing S in the interface to build S-bridged core-shell electrode Ni(OH)
2-S/ZIF-67 with high electrochemical performance
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时间:2025年10月27日
来源:Journal of Alloys and Compounds 6.3
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本文聚焦于通过引入硫(S)桥强化Ni(OH)2-S与ZIF-67间的界面相互作用,成功构筑了具有Ni-S-Co化学键的核壳复合电极。该设计显著降低了界面电阻,促进了电子传输,使材料在1 A g-1电流密度下展现出1020.6 F g-1的高比电容,组装的非对称超级电容器(ASCs)实现了22.79 Wh kg-1的能量密度。这项工作为通过界面工程提升过渡金属氧化物(TMOs)及金属-有机框架(MOFs)基电极的性能提供了有效策略。
所制备的正极材料 (Ni(OH)2-S/ZIF-67)
Ni(OH)2-S/ZIF-67的合成机理如图1所示。首先在室温下合成Ni(OH)2,随后以硫脲 (CH4N2S) 为硫源,在120°C下硫化24小时,此过程中S与Ni(OH)2中的Ni形成Ni-S键。将硫化后的产物引入ZIF-67溶液中并静置24小时。在此过程中,S与ZIF-67中的Co配位形成S-Co键,最终形成具有Ni-S-Co键的Ni(OH)2-S/ZIF-67。
在本研究中,我们制备了由S桥连接的正极材料 (Ni(OH)2-S/ZIF-67)。该材料中Ni–S–Co键的形成通过增强Ni(OH)2-S与ZIF-67之间的界面相互作用,降低了其界面电阻。电化学性能测试表明,与Ni(OH)2/ZIF-67 (835.4 F g-1) 相比,Ni(OH)2-S/ZIF-67-24h电极在1 A g-1的电流密度下表现出更高的比电容,达到1019.2 F g-1。此外,在5 A g-1的电流密度下经过5000次充放电循环后...
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