基于单个CuGa2O4微米线的高性能柔性全波段日盲紫外光电探测器
《Materials Today Physics》:High-performance flexible full-band solar-blind UV photodetector based on individual CuGa
2O
4 microwire
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时间:2025年10月27日
来源:Materials Today Physics 9.7
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本文报道了通过化学气相沉积(CVD)法制备厘米级CuGa2O4微米线,并基于此成功构建了柔性全波段日盲紫外(UV)光电探测器。该器件在280 nm紫外光照及10 V偏压下,实现了超低暗电流(2.96 pA)、超高光暗电流比(1.53×107)、高响应度(253.1 A/W)及快响应速度(0.20 s/0.55 s),且在弯曲状态下性能稳定,为日盲紫外探测提供了新材料与新思路。
通过化学气相沉积(CVD)方法成功制备了长度可达0.8厘米的CuGa2O4微米线。分析紫外-可见吸收光谱表明,CuGa2O4微米线的光学带隙为4.41 eV。我们在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性基底上,基于单个CuGa2O4微米线制作了柔性光电探测器。在280 nm紫外光照射和10 V偏压条件下,该探测器实现了高达253.1 A/W的响应度、112391.9%的外量子效率(EQE)以及高达1.53×107的光暗电流比(Ilight/Idark)。此外,该光电探测器还表现出快速的响应速度(0.20秒/0.55秒)。重要的是,在不同弯曲角度(90°、120°和150°)下以及经过200次弯曲循环后,器件仍能保持与未弯曲状态下相同的光电流(45.2 μA),显示出稳定的可重复性。
我们采用化学气相沉积(CVD)法制备了CuGa2O4微米线,其长度可达0.8厘米。CuGa2O4微米线的带隙为4.41 eV。我们在PET基底上基于单个CuGa2O4微米线制备了柔性光电探测器。在280 nm紫外光照射下,该探测器实现了253.1 A/W的高响应度、112391.9%的高外量子效率(EQE)以及高达1.53×107的光暗电流比。此外,该光电探测器还表现出快速的响应/恢复时间。
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