利用二有机二硫属化合物前驱体对CsGaE2（E = S, Se）进行多态性控制

《Inorganic Chemistry》：Polymorphic Control of CsGaE2 (E = S, Se) Using Diorganyl Dichalcogenide Precursors

通过调节C–E键活性和温度，实现了CsGaS?和CsGaSe?不同晶型选择性合成，揭示温度与键强度对稳定晶型（mC64与mC16）的调控机制，并发现GaSe?低温下显著热稳定性，GaS?相变行为与块体一致。

　　

二有机基二硫属化合物（R–E–E–R，其中R表示有机基团，E表示S、Se、Te）由于其可调的C–E键反应性，被用于控制类金刚石晶体结构的多态性。在这项工作中，我们将它们的应用扩展到了非密排结构的碱金属基硫属化合物上，通过选择性合成CsGaE₂（E = S, Se）的多态体来证明这一点。较弱的C–E键或较高的温度会促进热力学稳定的mC₆₄相的形成，而较强的C–E键或较低的温度则有利于分离亚稳态的mC₁₆相。热处理研究表明CsGaSe₂-mC₁₆颗粒具有明显的亚稳性，而CsGaS₂则发生了与其块状材料类似的不可逆相变。