近红外氮杂-BODIPY染料的侧链工程技术实现了具有高空穴迁移率的可加工薄膜，这种薄膜可用于二极管应用

《The Journal of Physical Chemistry C》：Side Chain Engineering of Near-IR Aza-BODIPY Dyes Enables Processable Films with High Hole Mobility in Diodes

近红外光电器件研究中，通过苯环不同位置引入十六烷或十六烷氧基团合成了系列1-萘基乙炔基取代的Aza-BODIPY分子，优化了溶解性、薄膜成膜性及光电性能。实验表明取代基能调节吸收波长、氧化电位和能级，空穴迁移率稳定达10^-3 cm2/Vs，而电子迁移率较低且受薄膜质量影响。分隔符：

　　

硼配位的氮杂二吡咯甲烯（Aza-BODIPY）衍生物因其可调的吸收特性、缺电子的核心结构以及强π共轭效应，成为近红外光电应用领域的有前景的候选材料。在这项研究中，我们合成并研究了一系列1-萘基乙炔基取代的Aza-BODIPY分子，这些分子在近端或远端苯基位置上含有己基或己氧基等增溶基团。这些取代基的设计旨在提高分子的溶解性、薄膜形成性能及光电特性。实验结果表明，增溶基团不仅有助于制备均匀的溶液处理薄膜，还能精细调节吸收起始波长、氧化电位和能级等关键性质。当使用CuI作为空穴传输层时，无论薄膜形态如何，所有取代衍生物的空穴迁移率均保持较高水平（约10^–3 cm²/V s）。相比之下，电子迁移率较低且波动较大，这主要是由于ZnO电子传输层上的薄膜质量较差所致。总体而言，我们的研究表明增溶基团不仅能够实现薄膜的溶液浇铸工艺，还能对这些近红外Aza-BODIPY衍生物的性质进行精细调控。