配体的空间位阻阻碍了离子在基于钙钛矿纳米晶体的电致发光器件中的渗透

《ACS Energy Letters》：Steric Hindrance of Ligands Inhibits Interface Ion Penetration in Perovskite Nanocrystal-Based Electroluminescence Devices

抑制离子迁移的空间位阻策略显著提升PeLED量子效率至27.8%，红光器件半衰期达11.3小时，适用于纳米晶体及体相薄膜体系。

　　

钙钛矿发光二极管（PeLEDs）的性能受到界面处离子迁移的严重限制：离子会从钙钛矿层扩散到相邻的电荷传输层，从而导致设备性能不可逆地退化。在这项研究中，我们通过界面作用分析以及PeLED内部离子分布的横截面元素映射，研究了不同钙钛矿/电荷传输层界面处的离子渗透行为。研究发现，在钙钛矿/电荷传输层界面引入空间位阻效应可以有效抑制卤素离子的渗透。这种离子在钙钛矿纳米晶体内的限制作用使得基于纳米晶体的PeLED在纯蓝色光（473纳米）下的外部量子效率达到22.7%，在红色光（636纳米）下达到27.8%。值得注意的是，红色PeLED在初始亮度为1000 cd m^–2时的半衰期为11.3小时，这凸显了空间位阻屏障在纳米晶体光电器件中的有效性。这种阻断策略同样可以应用于基于块状钙钛矿薄膜的器件。