InP/ZnSe胶体量子点中的核壳结构界面

《Chemistry of Materials》：The Core/Shell Interface in InP/ZnSe Colloidal Quantum Dots

InP/ZnSe量子点通过界面工程调控实现高效发光与慢俄歇复合。元素分析与NMR证实InCl3促进铟渗入ZnSe壳层，表面氧化形成多磷酸盐界面层，双工艺结合样品荧光量子产率提升且复合速率最低。

　　

InP/ZnSe核壳量子点（QDs）能够高效地发射光谱狭窄的光，但量子点的性质与核壳界面组成之间的关系仍不明确。在这里，我们比较了4批不同的InP/ZnSe量子点，这些量子点在生长壳层之前经过了或没有经过中间纯化处理，以及是否对InP表面进行了氧化处理。元素分析和固态核磁共振（NMR）显示，在ZnSe壳层生长过程中加入InCl₃会导致铟元素掺入ZnSe壳层中，而界面氧化则会在核壳界面形成多磷酸盐。同时采用了这两种界面工程方法的样品具有更高的光致发光量子产率和最慢的双激子奥格复合（Auger recombination）速率。这些发现为文献中关于InP/ZnSe核壳界面的新认识提供了支持，并为通过调整界面组成来进一步改善这些材料的光电性能奠定了基础。