同构有机锑配合物在高效敏化自由基引发剂与淬灭剂之间的分子功能切换，以实现可靠的极紫外光刻

《Chemistry of Materials》：Molecular Functionality Switching of Isomorphic Organoantimony Complexes between High-Sensitivity Radical Initiator and Quencher for Reliable Extreme Ultraviolet Lithography

研究通过调控三苯基锑二丙烯酸酯衍生物的取代基位置，实现了光化学性质和热稳定性的平衡优化。正取代锑光刻胶具备高EUV灵敏度但热稳定性不足，邻取代锑作为淬灭剂可抑制自由基传播。混合体系在ArF和EUV光刻下分别实现198 nm和32 nm精度的抗蚀图案，证实分子位置调控对光刻性能的显著影响。

　　

有机锑光刻胶（如三苯基二丙烯酸锑）具有较高的极紫外（EUV）光敏度，但其热稳定性较差且会发生不可控的聚合反应。本文展示了通过引入邻位、间位和对位取代的甲基基团，可以轻松调控三（甲基苯基）二丙烯酸锑复合物的光化学性质和热稳定性。对位取代的复合物（p-Sb）具有较高的EUV光敏度（11 mJ/cm2），但热稳定性较差；而邻位取代的复合物（o-Sb）由于空间位阻作用阻碍了自由基的传播，因此可作为聚合抑制剂，其EUV光敏度降低（220 mJ/cm2），但热稳定性得到提升。通过对同构分子中取代基位置的调控，可以方便地切换其光化学功能——既可以作为光刻胶，也可以作为抑制剂。通过将p-Sb与o-Sb混合制备的分子玻璃光刻胶，实现了25 mJ/cm2的高EUV光敏度和高达110°C的热稳定性；使用ArF光刻技术可制备出无杂质的198纳米线宽的1:1线宽图案，使用EUV光刻技术则可制备出32纳米线宽的图案，光敏度为38 mJ/cm2。