优化多孔金属氮化物基体的界面相互作用与缺陷结构，以提高金属-有机框架超级电容器电极的性能

MOFs与导电金属氮化物纳米片复合提升超级电容器电极性能。通过缺陷辅助杂化策略，TiN、MoN、NbN纳米片作为基质与MOF结合，MoN?MOF在10 mV s?1下比电容达≈3021 F g?1，源于缺陷促进电子耦合及Mo3+高电负性和未配对4d电子优化界面相互作用。

　　

摘要

金属有机框架（MOFs）因其在气体分离/存储和能源生产/存储方面的潜在应用而受到了广泛关注。然而，MOFs的低电导率和有限的电化学活性限制了其作为电极的应用。在这项研究中，开发了一种基于缺陷辅助的杂化策略来提高MOFs的电极性能，其中使用了导电的多孔金属氮化物（TiN、MoN和NbN）纳米片作为杂化基质。多孔金属氮化物纳米片中存在的配位不饱和缺陷位点显著增强了杂化MOFs作为超级电容器电极的功能。在所有纳米杂化材料中，MoN?MOF表现出最佳的电极性能，在10 mV s^{?1?13+离子较高的电负性和更多的未配对4d电子，从而优化了界面相互作用。}

利益冲突

作者声明没有利益冲突。