基于具有供体-桥接-荧光团结构的MR-TADF发射体的耐淬火高效OLED

《Advanced Optical Materials》：Quenching-Resistant Efficient OLEDs Based on MR-TADF Emitters With Donor-Bridge-Fluorophore Structure

本研究设计合成了两种多共振热激活延迟荧光（MR-TADF）发射体，通过引入萘环桥结构有效缓解分子间相互作用，抑制浓度淬灭和光谱展宽。器件在5和30 wt%掺杂浓度下分别实现31.5%和30.4%的最大外量子效率，同时保持稳定发射特性。

　　

摘要

多共振热激活延迟荧光（MR-TADF）发射体由于其窄带发射和高效率，在有机发光二极管（OLED）领域具有巨大潜力。然而，大多数平面型MR-TADF发射体中较强的发色团间相互作用会导致在高掺杂浓度下发生聚集，从而引起光谱展宽和器件效率下降，限制了其实际应用。在这项研究中，通过在MR-TADF核心与外围基团之间引入萘桥结构，设计并合成了两种MR-TADF发射体：PPCz-N-DtCzB和PPCz-N-POAtCzB。这种分子结构引入了显著的空间位阻，有效减轻了浓度猝灭效应和光谱展宽现象。此外，PPCz-N-DtCzB和PPCz-N-POAtCzB分别在甲苯中呈现天蓝色和纯绿色发光，发光峰值分别为496纳米和515纳米。掺杂后的薄膜表现出优异的光物理性能，其光致发光量子产率分别为95%和92%。在5 wt%的掺杂浓度下，相应的OLED器件实现了最高的外部量子效率（EQE_max），分别为31.5%和33.1%。值得注意的是，即使在30 wt%的高掺杂浓度下，它们的最大外部量子效率仍保持在30.4%和27.2%，且电致发光光谱的变化很小。基于PPCz-N-POAtCzB的器件在不同掺杂水平下均能呈现纯绿色发光。这些结果为开发高性能OLED所需的浓度无关型MR-TADF发射体提供了宝贵的见解。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。