用于制造高亮度、高效近红外发光二极管的CsSnI3微晶立方体的异维外延技术

《Advanced Materials》：Heterodimensional Epitaxy of CsSnI3 Microcrystalline Cubes for Bright and Efficient Near-Infrared Light-Emitting Diode

锡基钙钛矿作为近红外发光材料具有环保、带隙优、辐射复合快等优势，但存在Sn2+氧化和晶粒生长受限等问题。本文提出表面模板策略制备异维晶立方微晶，结合埋藏二维界面钝化层有效抑制氧化并降低缺陷密度，所制红外LED辐射度达152 W sr?1 m?2，外量子效率8.11%，刷新近红外发光体新纪录。

　　

摘要

锡卤化物钙钛矿因其环境友好的成分、理想的带隙以及超快的辐射复合动力学而成为近红外发射体的研究热点。然而，由于Sn²⁺容易被氧化且结晶过程难以控制，从锡基钙钛矿薄膜中获得明亮且高效的发光效果仍然具有挑战性。本文报道了一种基于表面模板的策略，用于生长异质结构的CsSnI₃微晶立方体。这些单晶三维结构与埋藏的二维外延钝化层共同作用，有效抑制了锡的氧化并降低了缺陷密度。由此制备的红外发光二极管达到了152 W sr^?1 m^?2的辐射度以及8.11%的外部量子效率，为无铅近红外发光材料树立了新的性能标杆。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。