用于具有宽光谱响应的光电突触器件的电容耦合等离子体辅助技术

《ACS Applied Electronic Materials》：Capacitive-Coupled-Plasma-Assisted Technique for Optoelectronic Synaptic Devices with a Wide Spectral Response

InGaZnO基光电子突触器件通过单步骤电容耦合等离子体辅助溅射技术实现材料沉积与等离子体处理同步，显著提升持久光电导性和光谱响应范围，等离子体辅助InGaZnO薄膜具有窄带隙、高无序度、增多氧空位及光滑表面特征，其突触可塑性参数分别较基线器件提高706.67倍、1.96倍和13.06倍。

　　

本研究提出了一种基于电容耦合等离子体辅助的溅射技术，该技术能够实现材料的同步沉积和原位等离子体处理。这种集成方法显著提升了InGaZnO基光电子突触器件的光导性能，并拓宽了其光谱响应范围。通过这种技术制备的InGaZnO材料具有窄带隙、较高的无序度、较多的氧空位以及光滑的表面。该技术使器件能够感知并记忆紫外到可见光信号，从而增强了突触可塑性：其最大松弛时间为129.41秒，双脉冲促进指数为216.40%，A₂₀/A₁增益指数达到3232.51%，分别比基线器件提高了706.67倍、1.96倍和13.06倍。