使用苯基三甲基溴化铵三溴化物提高全无机CsPbI2Br的结晶度并钝化缺陷，以实现稳定高效的太赫兹调制

《Small Methods》：Crystallinity Enhancement and Defect Passivation of All-Inorganic CsPbI2Br with Phenyltrimethylammonium Tribromide for Stable and Efficient Terahertz Modulation

针对CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜缺陷导致的载流子陷阱和复合中心问题，采用溶液旋涂法制备PTABr掺杂薄膜。掺杂后缺陷密度降低，晶粒尺寸增大，结晶度提高，实现41%的调制深度提升，且在60天空气存储后仍保持90%以上初始性能。该掺杂策略有效提升了无机钙钛矿太赫兹器件的性能与稳定性。

　　

摘要

与有机-无机钙钛矿相比，基于铯的无机钙钛矿（如CsPbI₂Br）因其优异的热稳定性而在太赫兹（THz）调制领域引起了广泛关注。然而，这些无机钙钛矿中存在的缺陷会成为载流子的陷阱并形成复合中心，从而缩短载流子的寿命并降低调制深度。为了解决这些问题，采用溶液旋涂法制备了掺杂苯基三甲胺三溴化物（PTABr）的CsPbI₂Br薄膜。在这种掺杂结构中，PTABr具有双重作用：既能钝化缺陷，又能增强结构稳定性，从而实现高效且稳定的太赫兹调制。与未经掺杂的CsPbI₂Br薄膜相比，掺杂薄膜具有均匀的形态、无针孔、更大的晶粒尺寸、更高的结晶度以及更低的缺陷密度。此外，掺杂PTABr后，0.61 THz下的调制深度提高了41%。值得注意的是，这些掺杂薄膜在空气中储存60天（25°C、25%相对湿度（RH））后仍能保持超过90%的初始最大调制深度。因此，这种添加剂工程策略为开发高性能、高稳定性的基于无机钙钛矿的太赫兹器件提供了有前景的方法。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。