基于位点选择的能带工程实现石墨烯分子内结的控制合成

《Small Methods》：Site-Selective Band Engineering for Controlled Synthesis of Graphene Intramolecular Junctions

可控制备石墨烯内结是电子器件应用的关键。本研究提出特定区域化学修饰方法，成功构建金属-半导体内结并实现高达342的整流比。通过调节门电压可使半导体区从p型掺杂转向n型，从而切换正向与反向整流特性，为石墨烯内结器件化提供了新路径。

　　

摘要

可控地制备石墨烯分子内结是实现石墨烯在电子设备中应用的关键步骤。本文提出了一种化学修饰方法，用于制备石墨烯金属-半导体分子内结。该结具有显著的整流特性，整流比高达342。通过施加不同的栅极电压，可以使结区域的半导体侧从p型掺杂变为n型掺杂，从而实现正向整流与反向整流行为之间的转换。这项研究为构建石墨烯分子内结提供了一种新方法，对于推动其在电子设备中的实际应用具有重要意义。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。