在绝缘体上的GaAs波导中利用电控方法对量子点进行调控，以实现相干单光子的产生

《Nano Letters》：Electrical Control of Quantum Dots in GaAs-on-Insulator Waveguides for Coherent Single-Photon Generation

通过电控制备自组装量子点嵌入GaAs波导并与低损耗SiN波导耦合，实现了高相干性量子光源与成熟硅光子技术的集成，验证了电荷噪声抑制和库仑块塞效应的有效性，为可扩展量子光子集成电路提供新路径。

　　

将相干量子发射器与硅光子平台集成起来，对于实现可扩展的量子技术至关重要。我们展示了电控自组装的量子点，这些量子点嵌入在生长在SiO₂/Si衬底上的GaAs波导中，并与低损耗的SiN波导相连。我们的方法采用芯片对芯片的粘合工艺，构建了一个包含p–i–n结的GaAs-on-insulator平台，该结构能够有效抑制电荷噪声并调节激子跃迁的Stark效应。共振荧光测量结果显示，光学线宽小于2 μeV，单光子纯度非常高，其g⁽²⁾(0)值为(5.2 ± 0.8)%，与未经处理的GaAs器件性能相当。这些成果为将高相干性的量子光源与成熟的硅光子技术相结合提供了可行的途径，从而实现了可扩展的量子光子集成电路。