用于白光LED的原位红发射水性AIGS@PVA量子点背光薄膜

《Small》：In Situ Red-Emission Aqueous AIGS@PVA Quantum Dots Backlight Film for White-LEDs

非毒Ag-In-Ga-S量子点（AIGS）水相合成PVA薄膜实现高PLQY（82%）红发射，并成功构建蓝激发白光LED，色温6403K，CRI 94，解决了材料兼容性与缺陷钝化难题。

　　

摘要

无毒的Ag-In-Ga-S (AIGS) 量子点（QDs）背光薄膜作为白光LED（WLED）中的下转换发光材料受到了广泛关注。然而，目前基于AIGS的背光薄膜研究仍面临一些挑战，如光致发光量子产率（PLQY）低、与聚合物不兼容等问题。本研究提出了一种创新的原位水相合成方法，用于制备高PLQY的红光发射AIGS@PVA背光薄膜。红光发射的AIGS量子点在PVA基质中原位生长，同时其表面缺陷也得到了PVA的钝化处理。成功制备出了PLQY达到82%的红光发射AIGS@PVA薄膜，该薄膜具有优异的均匀性、表面平整度和柔韧性。此外，通过将红光发射AIGS@PVA薄膜堆叠在绿光发射薄膜上，并利用蓝色芯片进行激发，成功制作出了白光LED。该白光LED的光色坐标为（0.32, 0.32），色温为6403 K，显色指数（CRI）为94。原位水相薄膜中实现高PLQY的技术将推动背光薄膜的实际应用。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。

数据可用性声明

本研究的支持数据可向通讯作者提出合理请求后获取。