通过可热去除的掺杂剂，解锁六角形钨氧化物纳米棒中基于Na+的电致变色性能

《Nano Letters》：Unlocking Na+-Based Electrochromic Capacity in Hexagonal Tungsten Oxide Nanorods via Thermally Removable Dopants

六方钨氧化物纳米杆通过NH4+/NH3掺杂及热退火去除掺杂剂，显著提升钠离子插入能力，400℃退火薄膜电荷容量提高4倍，150nm厚膜在1200nm处实现74%光学调制，钠电解质全电池有效温控达20℃。

　　

六角形氧化钨纳米棒因其内部存在的较大六角形通道而成为基于钠离子（Na⁺）的近红外电致变色窗口材料的理想选择。然而，传统掺杂剂（如铯离子Cs⁺）会阻碍钠离子的插入，从而限制了材料的电荷存储能力和整体调制性能。为了解决这一问题，我们开发了掺杂了NH₄⁺/NH₃的六角形氧化钨纳米棒，并通过简单的热退火过程逐步去除这些掺杂剂。在400 °C下退火的薄膜其电荷存储能力比掺铯离子的薄膜提高了4倍以上。结合这种优异的存储能力以及纳米棒的高着色效率，厚度为150纳米的薄膜在1200纳米波长下实现了74%的光学调制效果，这一性能与基于锂离子（Li⁺）的系统相当。使用钠离子电解质的完整电致变色器件在褪色状态和着色状态之间实现了20 °C的有效温度调节。我们的研究强调了掺杂工程在电致变色性能中的关键作用，并表明钠离子电解质为下一代电致变色窗口材料的开发提供了可行的途径。