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一种基于氧桥接硼的TADF发射体的超稳定绿色发光,具有前所未有的抗浓度猝灭能力
《Journal of Materials Chemistry C》:Ultra-stable green emission from an oxygen-bridged boron-based TADF emitter with unprecedented resistance to concentration quenching
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年11月22日 来源:Journal of Materials Chemistry C 5.1
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高热激活延迟荧光(TADF)发射体的开发受制于掺杂或非掺杂条件下的聚集诱导淬灭(ACQ)和浓度淬灭效应。本研究报道了一种新型TADF发射体tBuNO–tBuBO,其刚性供体-受体框架含叔丁基基团,空间位阻和多重分子间相互作用促使反平行堆积构型,有效抑制ACQ并实现浓度不敏感性发光。溶液法制备的OLED在10-100wt%掺杂范围内保持稳定的EQE,表现出优异的抗ACQ和浓度淬灭特性,光谱稳定性显著。其路易斯酸性与DMAP结合引发显著光学变化,在二氯甲烷中实现白光发射,为提升TADF材料在发光器件和传感器的应用提供新策略。
高性能热激活延迟荧光(TADF)发光体的发展受到了掺杂或非掺杂条件下聚集引起的猝灭(ACQ)和浓度猝灭效应的显著阻碍。在这里,我们报道了一种新型的TADF发光体
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