一种32-QAM、50-Gbps的D波段接收机射频前端，具备中频带宽扩展功能

《IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs》：A 32-QAM 50-Gbps D-Band Receiver RF Front-End With IF Bandwidth Extension

D波段接收前端集成LNA、混频器、LO倍频器及IF处理链，通过寄生电容补偿和电容峰值技术实现71%相对带宽，40nm CMOS工艺下峰值增益28.8dB，功耗245mW，支持50Gbps数据率与4.9pJ/bit能效，核心面积0.59mm2。

　　

摘要：

本文介绍了一种D波段接收机（RX）射频前端（RFE），该前端集成了低噪声放大器（LNA）、混频器、具有前置和后置缓冲阶段的本振（LO）倍频器以及中频（IF）信号处理链（SPC）。通过采用寄生电容补偿技术，并针对差分信号到单端信号（D2S）转换器提出电容峰值控制方法，同时对前置阶段的品质因数（Q）降低和高频增益进行补偿，该中频信号处理链实现了71%的相对带宽。该接收机射频前端采用40纳米CMOS工艺制造，工作频率范围为118至140 GHz，峰值增益为28.8 dB，功耗为245 mW。在10 GHz带宽内采用32-QAM调制方式时，系统的数据传输速率可达50 Gbps，相应的能效为4.9 pJ/bit。其核心芯片面积为0.59 mm2。