关于累积过程中界面缺陷的响应时间常数

《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》：On the Response Time constant of Interface Defects in Accumulation

MOS器件接口缺陷密度测量中，传统认为近带边缺陷响应时间过短难以测量，需极高频率。本文揭示当电容偏置至积累区时，缺陷响应时间趋于稳定而非持续下降，证实常规1MHz频率即可可靠检测近带边缺陷，消除数据报告盲区。

　　

摘要：

MOS器件的界面缺陷密度测量方法（如高低电容变化法（hi-lo CV method）和电导法）非常重要且应用广泛。界面缺陷的响应时间是这些测量方法及其结果解释中的一个关键参数。普遍认为，位于能带边缘附近的界面缺陷响应时间太短，无法通过这些技术准确测量，除非使用非常高的测量频率，但这会大大增加实验难度。因此，靠近能带边缘的界面缺陷通常被认为不可靠，一般不会被报告。在这里，我们指出人们对能带边缘缺陷的响应时间常数存在误解。具体来说，当电容器被偏置到积累状态（这是测量能带边缘附近缺陷水平的必要条件）时，缺陷的响应时间会趋于稳定，而不会继续减小。因此，常用的1MHz测量频率对于能带边缘附近的缺陷来说也是完全足够的。