横向扩散型金属氧化物半导体在功率调制电路中单次事件性烧毁现象的研究

《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》：Investigation of Single-Event Burnout in Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor for Power Modulation Circuits

LDMOS器件在航天功率调制电路中的单粒子烧毁抗性研究采用脉冲激光与重离子双实验方法，发现pLDMOS较nLDMOS具有更强的抗辐射能力，为抗辐射设计提供理论支撑。

　　

摘要：

随着功率调制电路从陆地和海洋环境应用到太空领域，作为这些电路关键组件的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件（尤其是在用作开关时）特别容易受到单事件烧毁（SEB）的影响。为了研究N沟道LDMOS（nLDMOS）和P沟道LDMOS（pLDMOS）在电路集成层面的SEB效应，本文提出了两种互补的单事件实验方法：（i）对用作功率调制电路中开关的互补LDMOS晶体管进行脉冲激光测试；（ii）对集成有nLDMOS和pLDMOS的功率调制电路进行重离子测试。实验结果证实，pLDMOS的SEB抗性优于nLDMOS。这项研究为未来航空航天应用中设计采用集成LDMOS器件的抗辐射功率调制电路提供了宝贵的见解。