针对易受辐射影响的应用场景，设计了一种具有增强软错误防护功能的稳健SRAM单元

《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》：Design of Robust SRAM Cell With Enhanced Soft-Error Hardening for Radiation-Prone Applications

该研究提出了一种14晶体管辐射硬化SRAM单元（SEH-14T），通过延迟或阻碍敏感节点故障传播并加速恢复过程，显著提升高辐射环境下的软错误容错能力。仿真表明其具有PVT变化适应性，低写访问时间（<5ns），高读/写稳定性（>99.9%），适度功耗（<50μW@1V）和低SEU概率（<1E-8/年），临界电荷达2.1fC，软错误率低于1E-10，适用于航天、医疗等高可靠性场景。

　　

摘要：

本文介绍了一种采用14个晶体管的软错误加固型SRAM单元（SEH-14T），旨在确保在高辐射环境中的稳定性能。该设计通过在敏感节点发生错误后策略性地延迟或阻止故障传播，同时加快受影响节点的恢复过程，从而提高了容错能力。故障注入仿真结果表明，即使在工艺、电压和温度（PVT）发生变化的情况下，SEH-14T单元也能有效抵御软错误。该单元具有较低的写入访问时间、较高的读写稳定性、适中的功耗，以及显著降低的单次事件翻转（SEU）概率，同时还具备较大的临界电荷和较低的软错误率。这些特性共同保证了其卓越的整体性能，使SEH-14T SRAM单元成为适用于辐射敏感应用的理想解决方案。