OFETs中闪烁噪声与溶液剪切介质介导的掺杂状态之间的相关性

《IEEE Electron Device Letters》：Correlation Between Flicker Noise and Oxygen-Mediated Doping States in OFETs with Solution-sheared Dielectrics

低频噪声研究显示，采用热退火和DUV光刻激活制备的OFETs，Al-OH浓度升高使归一化功率谱密度（nPSD）提升一个数量级，迁移率与噪声存在负相关，验证了载流子涨落主导的闪噪声模型。

　　

摘要：

本研究探讨了采用溶液剪切法制备的低压有机场效应晶体管（OFETs）的低频噪声（LFN）特性。通过两种不同的栅氧化层处理技术——热退火和深紫外（DUV）光激活——来有意改变介质表面的Al–OH基团浓度。通过系统的电学测量，我们发现漏电流的归一化功率谱密度（nPSD）遵循1/IαD的关系，其中α约为1.9，这与闪烁噪声的载流子数量波动模型一致。此外，尽管具有更高的迁移率，但Al–OH含量较高的器件（尤其是经过DUV光激活处理的器件）其nPSD水平却提高了一个数量级。Al–OH浓度与LFN水平之间存在强烈的相关性，这表明优化金属氧化物网络的组成以提高迁移率可能会对噪声性能产生负面影响。