基于反铁电薄膜晶体管的单极施密特触发器

《IEEE Electron Device Letters》：Unipolar Schmitt Trigger Based on Antiferroelectric Thin Film Transistor

抗铁电薄膜晶体管与反馈晶体管构成的互补双晶体管结构单极性施密特触发器首次提出，通过降低沟道与电容面积比使低阈值提升，仿真验证阈值窗口随AFeTFT阈值正移特性，支持复杂电路可调阈值需求。

　　

摘要：

本文首次提出了一种由两个晶体管组成的单极施密特触发器结构，该结构包含一个反铁电薄膜晶体管（AFeTFT）和一个反馈薄膜晶体管（TFT），从而大幅降低了硬件开销。由于反铁电特性和电路中的正反馈机制，该触发器具有单极阈值特性，可实现较低的阈值电压（0.4 V）和较高的阈值电压（1.5 V），这对于由单电源电压供电的芯片至关重要。实验表明，减小AFeTFT中通道与电容器之间的面积比例有助于降低施密特触发器的阈值。此外，仿真结果显示，随着AFeTFT阈值的升高，触发器的阈值窗口也会正向移动。可调的阈值窗口使得施密特触发器能够满足复杂电路中的多种性能需求。