基于电荷陷阱闪存门控逆变器的片上模拟-数字转换器，用于内存计算（Compute-in-Memory）

《IEEE Electron Device Letters》：Charge Trap Flash-Gated Inverter-based In-Memory Analog-to-Digital Converter for Compute-in-Memory

提出了一种基于电荷陷阱闪存（CTF）门控逆变器的内存内ADC设计，通过可编程阈值电压精确控制每个反相器的开关电压，实现仅两个晶体管每级的量化方案。经微调后13个反相器的开关电压以0.1V间隔均匀分布，实测DNL和INL分别为0.11LSB和0.14LSB，模拟数据表明该设计在计算内存系统中具有更优的面积和能效。

　　

摘要：

我们提出了一种基于电荷陷阱闪存（CTF）门控逆变器的片上模拟-数字转换器（ADC），该转换器适用于计算存储（CIM）系统，具有高度紧凑和节能的特点。通过利用CTF器件的可编程阈值电压，可以精确控制每个逆变器的开关电压，从而实现每个电平仅使用两个晶体管的量化方案。通过软擦除操作的微调过程，13个逆变器的开关电压被均匀地映射在0.1 V的间隔上。所制造的ADC分别实现了最大0.11 LSB和0.14 LSB的动态非线性（DNL）和积分非线性（INL）。基于测量数据和仿真数据的基准测试表明，所提出的设计在面积和能效方面具有潜在的优势。这些结果表明，基于CTF门控逆变器的ADC是CIM架构中有前景的候选方案。