通过周期性接触结构实现的无需再生的GaN射频HEMTs，其最大频率（fmax）达到了403 GHz

《IEEE Electron Device Letters》：Regrowth-free GaN RF HEMTs achieving fmax of 403 GHz via Periodic Contact Structures

高频率GaN HEMT通过周期接触结构实现无重生长和亚THz性能突破，采用Ti/Al金属化降低接触电阻至0.15Ω·mm，支持500nm以下通道缩放，实现176/403GHz的ft/fmax指标。

　　

摘要：

通过使用周期性接触方案，我们成功制备出一种无需再生的亚太赫兹（sub-THz）高电子迁移率晶体管（HEMT），该方案将传统的线性接触结构转变为具有更低整体接触电阻（RC）的配置。该方法实现了稳定的低接触电阻，最低可达0.15 Ωmm。此外，这种技术采用无金（Au）的低温退火金属化工艺（Ti/Al），从而使得器件边缘极其光滑，实现了小于500纳米的通道尺寸缩放。这些特性首次使得无需再生的GaN射频HEMT得以实现，其频率响应范围（ft/fmax）达到176/403 GHz。这些结果与具有类似几何结构的最佳GaN HEMT相当，充分展示了周期性接触结构在高性能射频和亚太赫兹器件中的巨大潜力。