关于高级FinFETs在关断态TDDB（Time-Domain Double Barrier）条件下陷阱生成的新见解

《IEEE Electron Device Letters》：New Insights into Trap Generation under Off-State TDDB for Advanced FinFETs

　　

摘要：

在这项研究中，我们全面探讨了非工作状态下TDDB（时间依赖性二极管效应）下先进FinFET（鳍式场效应晶体管）中的陷阱生成行为。研究结果表明，高k值栅介质层中的电子陷阱是导致栅介质击穿的原因。此外，通过实验建立了陷阱的空间分布与应力电场之间的关联，并利用矩阵渗透模型进一步验证了这一关系。