适用于HCD退化FinFETs的通用时变DIBL模型

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《IEEE Transactions on Electron Devices》：Universal Time-Dependent DIBL Model for HCD-Degraded FinFETs

【字体：大中小】 时间：2025年11月23日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

编辑推荐：

　　DIBL通用模型考虑时间依赖热载流子退化，验证于14nm ULVT FinFET，准确预测应力下DIBL值与ds无关特性，正向反向测量分析界面陷阱演变，整合电路分析减少性能高估风险，强调精确DIBL建模对现代ULP SoC可靠性的重要性。

摘要：

本文提出了一种通用的模型，用于描述由于漏电流引起的势垒降低（DIBL）现象，并考虑了鳍状场效应晶体管（FinFET）中热载流子退化（HCD）的时变效应。该模型与先进14纳米超低阈值电压（ULVT）FinFET器件的实验数据相符，能够准确预测在HCD应力作用下DIBL的衰减情况。在这种应力条件下，DIBL值不再依赖于

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