晶格位点竞争调控Cr3+掺杂近红外荧光体的发光中心，用于声子侧带比率温度计和夜视设备

《Advanced Optical Materials》：Lattice Site Competition Regulates the Luminescence Centers of Cr3+-Doped NIR Phosphor for Phonon Sidebands Ratiometric Thermometer and Night Vision

近红外发光材料BaAl3.772Sb2O12掺杂Cr3+和Ga3+后量子效率达97.5%，通过晶格竞争机制减少发光中心，Ga3+掺杂使发光强度提升1.56倍，材料结构刚性高（德拜温度468.9 K）且具有3.46% K?1的相对灵敏度，适用于近红外无损检测和夜视。

　　

摘要

近红外发光材料因其在各领域的应用前景而受到了广泛关注。本文报道了一种高效近红外发光材料BaAl_3.772Sb₂O₁₂:0.028Cr³⁺,0.20Ga³⁺，其内部和外部量子效率分别为97.5%和34.4%。该材料具有两个潜在的发光中心。通过分析晶格位点的竞争关系，引入Ga³⁺成功消除了其中一个发光中心。晶格畸变分析、位点占据能的计算以及光谱分析表明，Cr³⁺在AlO₆位点的占据竞争力低于Ga³⁺。经过Ga³⁺离子修饰后，发光强度提高了约1.56倍。在423 K时，BASO:0.028Cr³⁺,0.20Ga³⁺材料的发光强度是室温下的106.5%，这与材料较高的结构刚性（德拜温度=468.9 K）有关。重要的是，由于该材料在198 K时的相对灵敏度为3.46% K^?1，因此具有潜在的光学温度测量应用价值。最后，制备的NIR-pc-LED在近红外无损检测和夜视领域展示了潜在的应用前景。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。

数据可用性声明

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