半导体量子点(QDs)由于具有易于溶液处理制备、可调发光和卓越的发光效率等优点,被视为下一代显示和照明设备的开创性材料[[1], [2], [3], [4], [5], [6], [7], [8]]。在提高单色量子点发光二极管(QLEDs)的性能方面已经取得了显著进展[[9], [10], [11], [12], [13]]。例如,已经证明抑制漏电流可以提高设备性能[14,15]。此外,基于单组分QDs的白光QLEDs也已被记录在案[[16], [17], [18]]。最近的研究趋势扩展到了新的应用场景和新型驱动方案[19,20]。然而,高分辨率全彩QLED显示器仍然存在重大挑战,特别是有限的像素制造工艺和特定像素的操作寿命[[21], [22], [23], [24]]。
开发单像素彩色可调电致发光(EL)技术是一种实用的方法,可以克服当前的局限性[24,25]。此外,将有机材料集成到QLED架构中同时提高了操作寿命和颜色纯度[24]。目前,制造单像素彩色可调QLEDs的主要策略包括具有逐层堆叠发射单元的串联QLEDs[24,[26], [27], [28]以及具有多量子点混合物的单层QLEDs[29], [30], [31]]。然而,复杂的串联设备结构在制备过程中是一个重大障碍,因为连续的溶液处理往往会损坏底层量子点薄膜,导致性能下降。具有多量子点混合物的单层QLED在单色和可控发射方面面临挑战,经常导致颜色失真。精确控制不同组分的比例进一步加剧了这一问题。
鉴于这些考虑,开发具有可控EL发射和与稳定有机发射材料兼容性的单层QLEDs具有重要意义。作为I-III-VI族量子点[17,[32], [33], [34], [35], [36]的重要衍生物类别,四元合金AgInZnS(AIZS)量子点表现出优异的光学性能以及以缺陷为主的施主-受体对(DAP)发射机制,在这种机制中,被施主缺陷捕获的电子和被受体缺陷捕获的空穴会发生辐射复合[[37], [38], [39]]。DAP发射过程中涉及多个能级,为AIZS量子点和有机材料之间的可控F?rster共振能量转移(FRET)提供了可能性[40,41],这表明了调节有机分子发射过程的有希望的潜力。此外,量子点与激子复合物之间的相互作用已被证明能够通过形成能量转移系统来提高QLED设备的性能[42,43]。受此现象的启发,使用具有DAP特性的量子点来调节界面激子复合物是开发单层彩色可调QLEDs的理想选择。
在这里,我们通过实时界面激子复合物调制与AIZS量子点相结合,展示了单层彩色可调QLEDs。制备的电压驱动彩色可调QLEDs具有通用结构,并且光谱覆盖范围广泛,分别从绿色到蓝色、从红色到黄色,并具有标准白色发光。此外,基于四元合金AIZS的QLEDs实现了5%的最高外部量子效率(EQE)。在成功展示图案化和大面积QLEDs之后,这项工作突出了基于实时调制与AIZS量子点界面的单层彩色可调QLEDs在全彩显示和照明技术中的潜在应用。