通过同时进行紫外辐照和退火处理对倒置量子点发光二极管进行表面修饰和缺陷钝化，从而提升其性能

《ACS Applied Electronic Materials》：Surface Modification and Defect Passivation via Concurrent UV Irradiation and Annealing for Inverted Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Enhanced Performance

表面缺陷导致ZnO电子传输层（ETL）性能受限，本研究通过365nm紫外辐照退火结合表面修饰和缺陷钝化，显著提升InP基 inverted QLED效率与寿命。XPS和FTIR证实氧空位减少和羟基生成，接触角及AFM显示界面均匀性提高，最终实现26%量子效率提升、415%寿命延长及光致发光增强。

　　

ZnO电子传输层（ETL）中的表面缺陷对实现高效、长寿命的量子点发光二极管（QLEDs）构成了重大挑战。本文提出了一种简单策略，通过表面改性和缺陷钝化来同时提升基于磷化铟的倒置QLEDs的性能和使用寿命。在ZnO薄膜退火过程中同时照射365纳米的紫外线，可以引发光催化的酒精氧化反应，生成质子，这些质子随后吸附在表面，减少氧空位并促进羟基的形成。X射线光电子能谱和傅里叶变换红外光谱显示，氧空位减少的同时羟基含量增加，这与接触角和原子力显微镜测量结果所观察到的亲水性和界面均匀性的提升密切相关。结果表明，QLEDs的外部量子效率提高了约26%，使用寿命延长了约415%，光致发光量子产率也得到了提升。这些结果表明，紫外线照射与退火的同时进行是一种有效的表面改性和缺陷钝化方法，显示出其在实现高效、长寿命QLEDs方面的潜在应用价值。