更正：“通过C2H2辅助的多循环处理结合空气暴露实现单壁碳纳米管的高效缺陷修复”

《ACS Applied Materials & Interfaces》：Correction to “Efficient Defect Healing of Single-Walled Carbon Nanotubes through C2H2-Assisted Multiple-Cycle Treatment with Air Exposure”

碳纳米管缺陷密度计算公式存在误差，现修正为L_D2(nm2)=(4.3±1.3)×103×(E_l4)/(I_G/I_D)，并调整了主文本及补充材料中的数值，包括缺陷距离和缺陷密度等，但研究结论不受影响。

　　在原始论文中，计算单壁碳纳米管（SWCNTs）的缺陷密度时出现了一个错误。正确的缺陷距离关系为： $L_D = 2 \times (4.3 \pm 1.3) \times 10^3 \times \frac{E}{I_D}$（单位：nm） 在本研究中，计算时使用了4.3（范围为4.3 ± 1.3）这个中心值。因此，正文中第20108页上给出的缺陷密度值$L_D$以及表S1中列出的$L_D$、$f_D$、$\lambda_D$和$f_D$的值都根据这个公式进行了修正。这些修正不会影响本研究的结论。 对第20108页正文的修正如下： - $L_D$：3.3 × 10^2 nm，$f_D$：7.6 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：50.3 nm，$f_D$：3.3 × 10^-6 缺陷/碳原子； - $L_D$：4.4 × 10^2 nm，$f_D$：4.3 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：58.1 nm，$f_D$：2.5 × 10^-6 缺陷/碳原子； - $L_D$：5.9 × 10^2 nm，$f_D$：2.4 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：67.4 nm，$f_D$：1.8 × 10^-6 缺陷/碳原子； - $L_D$：6.7 × 10^2 nm，$f_D$：1.9 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：71.6 nm，$f_D$：1.6 × 10^-6 缺陷/碳原子； - $L_D$：6.6 × 10^2 nm，$f_D$：1.9 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：71.4 nm，$f_D$：1.6 × 10^-6 缺陷/碳原子； - $L_D$：6.3 × 10^2 nm，$f_D$：2.1 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：69.5 nm，$f_D$：1.7 × 10^-6 缺陷/碳原子； - $L_D$：5.8 × 10^2 nm，$f_D$：2.5 × 10^-8 缺陷/碳原子，修正为 $L_D$：66.8 nm，$f_D$：1.9 × 10^-6 缺陷/碳原子； - 24.4% 修正为 48.5%； - 75.6% 修正为 51.5%。 对“支持信息”（Supporting Information）的修正如下： - $L_D$（单位：nm）的表达式由原来的 $\frac{560}{E \times l}$ 更正为 $L_D^2$（单位：nm^2），即 $L_D = \frac{4.3 \pm 1.3 \times 10^3 \times \frac{E}{I_D}{4 \times l}$； - 表S1中的数值也进行了相应的修正。修订后的“支持信息”文件已附上。