Cu含量调控的CuxInP2Se6材料中异常极相的出现

《ACS Applied Materials & Interfaces》：Emergence of an Abnormal Polar Phase Controlled by Cu Content in CuxInP2Se6

二维铜铟磷硒化合物通过化学气相传输合成，铜过量掺杂导致晶格畸变，引发对称性破坏，使x=1.4样品室温下具有显著二次谐波响应，证实铜掺杂调控范德华材料极性相的有效途径。

　　

二维（2D）CuInP₂X₆（X = S, Se）材料因其层状结构和铁电性质而成为多种技术应用的有希望的候选材料。通过合成铜含量过高的Cu_xInP₂Se₆，我们观察到其在室温下呈现出不寻常的极性相。在本研究中，通过化学气相传输法制备了Cu_xInP₂Se₆（x = 1.1、1.4和1.95）样品，所有样品都表现出相似的X射线衍射和拉曼特性。Cu_xInP₂Se₆（x = 1.1、1.95）样品在室温下的二次谐波产生（SHG）响应可以忽略不计。相比之下，Cu_xInP₂Se₆（x = 1.4）样品由于在室温下表现出显著的SHG响应而具有不对称结构。理论计算表明，这种不对称结构是由于铜过量掺杂导致晶格畸变而引起的对称性破缺所致。这些结果表明，调节铜含量是稳定CuInP₂Se₆极性结构的有效方法，为人工控制范德华材料中的相对称性提供了一种新策略。