在高剂量紫外辐射下，SiC、GaN和Si光电探测器的可靠性性能研究

《IEEE Photonics Technology Letters》：Reliability performance study of SiC, GaN and Si photodetectors under high-dose UV irradiation

紫外辐照下Si、SiC及GaN光电探测器可靠性对比，发现Si探测器响应度下降超6%，而SiC/GaN分别上升3%且暗电流增幅显著小于Si。

　　

摘要：

在这项研究中，比较了硅光电探测器（Si PDs）和基于宽禁带半导体的光电探测器（如SiC和GaN PDs）在高剂量紫外线（UV）照射下的可靠性特性。实验选用了波长为275纳米、具有连续波（CW）发射特性的高功率紫外发光二极管模块以及波长为266纳米、脉冲宽度为纳秒的激光器作为老化光源。结果表明，在累计接受275纳米波长、剂量为1 MJ/cm2的连续波照射后，SiC和GaN PDs的响应度均提升了约3%，而Si PD的响应度下降了超过6%。对于波长为266纳米、峰值功率密度约为5 kW/cm2的脉冲激光照射，当累计照射剂量达到0.1 MJ/cm2时，Si PD的响应度下降了6%，而SiC和GaN PD的响应度几乎没有变化。此外，在脉冲紫外激光照射下，Si PD的暗电流增加幅度明显大于SiC和GaN PD。