高强度紫外线照射在硅光伏结构快速筛查中的应用

《IEEE Journal of Photovoltaics》：High-Intensity UV Exposure for the Rapid Screening of Silicon Photovoltaic Architectures

紫外光诱导退化（UVID）对先进硅光伏器件的影响及快速筛选方法研究。通过对比PERC和TOPCon未封装器件在不同UV辐照下的电性能退化，建立了有效评估UVID的测试框架，为模块制造商优化材料选择提供依据。

　　

摘要：

先进的硅光伏器件采用了多种材料和加工工艺，这些因素会影响器件的老化模式。紫外线引起的老化（UVID）是针对先进光伏器件的一种研究不足的老化现象，随着对紫外线透明封装技术和双面技术应用的增加，这一问题日益受到行业的关注。为了能够自信地采用新的和不断发展的技术，除了传统上关注效率外，还必须评估和设计新型组件材料及加工技术，以确保其长期稳定性。本文提出了一种研究方案框架，用于快速筛选未封装器件在紫外线作用下的老化情况。研究选用了未封装的钝化发射极背接触（PERC）和隧道氧化物钝化接触（TOPCon）器件，在不同强度的紫外线照射下进行老化测试，并通过传统的无损电学表征方法来评估其性能变化。基于实验结果，讨论了该方案的有效性以及进一步研究的建议。这项工作属于更广泛的研究计划的一部分，旨在开发适用于多种器件结构和光照条件的快速筛选流程，以帮助模块制造商评估新材料在长期使用中的稳定性。