一种掺杂策略，使得CsPbBrI2钙钛矿量子点与光刻胶能够高效稳定地混合使用，从而极大简化光刻工艺

《Small》：Doping Strategy Enabling CsPbBrI2 Perovskite Quantum Dot-Photoresist Compatible Blending with High Stability for Ultra-Simplified Photolithography

将Sr2?掺杂至CsPbBrI?量子点（QDs），有效提升其晶格稳定性和表面缺陷修复能力，使其与商业光刻胶（PR）直接混合后保持61%荧光量子产率（PLQY），实现88.39 μm最小特征尺寸的高均匀性图案化，同时增强封装后QD-PR薄膜的水稳定性和溶剂耐受性，为量子点光刻制造提供兼容性解决方案。

　　

摘要

将钙钛矿量子点（PQDs）融入光刻胶（PR）并利用成熟的光刻工艺是实现图案化制作的理想策略，这完全符合大规模生产的要求。因此，提高红色发光CsPbBrI₂量子点的内在稳定性对于将其直接与光刻胶混合以进行后续光刻处理至关重要。本文通过引入Sr²⁺来制备B位掺杂的CsPbBrI₂量子点。这种掺杂增强了晶格稳定性并部分修复了表面缺陷。掺杂后的CsPbBrI₂量子点溶液在30天内保持稳定，其初始光致发光（PL）强度保留了93.7%，且PL峰值几乎没有变化；同时薄膜的热稳定性也得到了提升。由于具有高稳定性，这些量子点可以与商用光刻胶混合，混合物的光致发光量子产率（PLQY）仍能达到61%。利用光刻工艺制作的图案化薄膜的最小特征尺寸为88.39 μm，且具有更好的均匀性和发光强度。封装在光刻胶基质中的量子点-光刻胶薄膜具有出色的水稳定性，即使浸泡48小时后仍能保持强烈的发光性能，并且对极性溶剂具有抗性。Sr掺杂的CsPbBrI₂量子点与商用光刻胶的协同作用克服了兼容性问题，使得光刻图案化过程更加简单高效。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。

数据可用性声明

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