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利用ReaxFF分子动力学模拟研究原子氧对MoS2薄膜摩擦性能的影响
《Molecular Simulation》:Effects of atomic oxygen on the friction properties of MoS2 films by using ReaxFF molecular dynamics simulation
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年11月26日 来源:Molecular Simulation 2
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MoS?薄膜在原子氧冲击下摩擦特性及磨损机理研究,通过构建冲击与滑动接触模型,结合ReaxFF分子动力学模拟分析氧化产物及AO迁移规律,发现摩擦系数随滑动速度先增后稳并伴随磨损现象,表面温度呈现显著波动。
在低地球轨道环境中,二硫化钼(MoS2)的摩擦特性会受到原子氧(AO)的影响。本研究开发了一个原子氧撞击模型和一个滑动接触模型,并利用ReaxFF分子动力学模拟方法研究了被原子氧撞击后的MoS2薄膜的摩擦特性。分析了原子氧撞击作用下形成的氧化产物,并探讨了原子氧在MoS2薄膜中的迁移行为。滑动接触过程初期会使摩擦系数(COF)增加,随后趋于稳定值。在滑动接触过程的最后阶段观察到了材料磨损现象。随着滑动速度的提高,MoS2薄膜的摩擦系数和表面温度会出现显著波动。
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