热致变色VO?/TiO?双层材料的纳米结构特征对其电学和光学性能的影响
《Applied Surface Science Advances》:Impact of nanostructural features of thermochromic VO
2/TiO
2 bilayers on their electrical and optical properties
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时间:2025年11月26日
来源:Applied Surface Science Advances 8.7
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研究通过脉冲激光沉积制备VO?/TiO?双层薄膜,分析缓冲层类型、薄膜厚度及界面应变对钒酸二氧铵结构、光学和电学性能的影响。发现TiO?缓冲层(如 Brookite 相)通过晶格失配引入的应变可局部稳定VO?的中间M2相,从而调控其金属-绝缘体转变行为。薄膜厚度与可见光透射率呈负相关,较薄薄膜(如S5)在保持高透射率(30%)的同时实现显著电学调制(R-effect=645),而较厚薄膜(如S1)透射率降至2%但电学响应更强。不同基底(玻璃、熔融石英、石英Z-cut)通过影响TiO?晶体结构及生长取向,进一步调控VO?薄膜的应变分布和性能。该工作为优化智能窗户用VO?基涂层的透明度与热致变色性能提供了新策略。
近年来,金属-绝缘体相变材料在智能窗领域的应用备受关注。钒氧化物(VO?)因其68℃附近的可逆相变特性展现出独特的热致变色性能,但这种材料在实际应用中面临多个挑战。首先,相变温度高于建筑环境常见工作温度范围,其次可见光透射率不足影响光学性能,再者与基底材料的晶格失配导致界面应力集中。针对这些问题,研究团队采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备VO?/TiO?异质结薄膜,通过调控缓冲层相态、薄膜厚度及基底选择,系统研究界面应变对材料性能的影响机制。
在材料制备方面,采用KrF激光(波长248nm,能量密度约1.6-2J/cm2)在玻璃、熔融石英和石英基板(0°晶向)上沉积TiO?/VO?双层薄膜。TiO?缓冲层在氧分压1-10Pa、沉积温度600-700℃范围内以 Anatase相为主,但部分样品中检测到 Brookite相的存在。值得注意的是,基板类型直接影响薄膜生长取向,石英基板(0°晶向)促使VO?形成[001]主导的M1相,而玻璃基板导致多晶无序生长。
界面应变调控是研究核心突破点。通过高分辨透射电镜(HRTEM)发现,TiO?缓冲层与VO?的晶格失配(13.29%)在界面处产生5%压缩应变,同时TiO?层存在10%以上的拉伸应变。这种双轴应变场显著改变了VO?的相变行为:局部应变稳定了亚稳态M2相,使得薄膜中同时存在M1和M2混合相。例如,样品S5在石英基板上形成定向生长的VO?薄膜,其M2相含量达15%,导致相变温度降低至62℃,同时电阻切换幅度提升至645Ω。
薄膜厚度与性能的权衡关系尤为关键。当VO?层厚度从320nm(S1)降至190nm(S2)时,可见光透射率从2%提升至12%,但电阻切换幅度下降至110Ω。这揭示出厚度优化的双刃剑效应:更薄薄膜在提升透光率的同时,因表面粗糙度增加(RMS从25nm降至17nm)导致散射损失增大。研究提出厚度-应变协同调控策略,当VO?厚度控制在75-90nm(如S3和S4样品)时,既保持20-24%的可见光透射率,又获得234-441Ω的电阻切换幅度,实现性能最佳平衡。
基板材料的选择直接影响界面质量。与玻璃基板相比,熔融石英和石英基板能诱导TiO?形成更高质量的晶体结构。例如,S5样品在石英基板上制备的TiO?层具有更清晰的(101)晶面,这促使VO?层形成高度有序的[001]取向,相变温度降低7℃,同时红外调制幅度提升至2.4ΔT/ΔI。这证实了基底晶格匹配对异质结性能的调控作用,特别是石英基板(0°晶向)能产生与TiO? Brookite相(a轴晶格参数更匹配)的晶格协同效应。
在光学性能优化方面,研究揭示了厚度与透射率的非线性关系。当VO?厚度超过120nm时,透射率下降速率加快,这与其表面粗糙度增加导致的漫反射增强有关。通过调节激光沉积参数(脉冲数、氧分压),在保证薄膜连续性的前提下,成功将可见光透射率提升至30%(样品S5)。此外,红外波段的1552nm光谱分析显示,较薄薄膜(<90nm)的红外反射率变化达2.4ΔT,这为开发宽光谱响应的智能窗提供了新思路。
电学性能方面,电阻切换幅度(R-effect)与薄膜厚度呈指数关系。样品S1(320nm)的R-effect达到920Ω,但透射率仅2%;而样品S2(190nm)通过减少晶界散射,在透射率提升6倍的同时,R-effect仍保持110Ω。这表明厚度优化需结合微观结构调控,特别是通过表面处理(如等离子清洗)可进一步降低晶界密度,提升薄膜质量。
界面工程是提升性能的关键。HRTEM分析显示,TiO?/VO?界面存在3-5nm的晶格失配区,此处应变集中度达8%。通过控制沉积参数(如氧分压1Pa时应变值降低40%),可使界面过渡平滑。更值得注意的是,当TiO?以Brookite相存在时,其晶格常数与VO? M2相更匹配,导致界面应变场分布更均匀,相变电阻差提升达2.3倍。
在器件集成方面,研究验证了薄膜的稳定性。样品S3在-20℃至80℃循环测试中表现出ΔT稳定在23℃±1.5℃,同时可见光透射率保持20%以上。这些特性使其适用于极端温差环境下的建筑智能化系统。此外,通过控制薄膜厚度(如S5的77nm),红外反射率变化ΔT可控制在8℃内,满足建筑节能标准中对热响应速度的要求。
该研究为智能窗开发提供了重要理论依据:首先,TiO?缓冲层相态选择(Anatase或Brookite)直接影响界面应变场分布,进而调控VO?相变行为;其次,薄膜厚度需控制在50-100nm范围内,以平衡透光率与电阻切换幅度;再者,基板晶格取向应与目标VO?相匹配,例如石英基板(0°晶向)适合制备M2相富集薄膜。这些发现为工业化生产提供了明确的工艺优化路径,如采用低温沉积(600℃)制备高质量TiO?缓冲层,结合快速激光扫描技术控制薄膜厚度精度±5nm。
未来研究可聚焦于:(1)开发多层复合缓冲结构,通过梯度应变场调控相变路径;(2)引入掺杂元素(如Cr3+)实现M2相稳定化;(3)探索柔性基底集成,解决刚性基板(如玻璃)的机械应力耐受问题。这些方向将推动VO?基智能窗向更高效、更耐用的方向发展,为建筑节能领域提供关键技术突破。
该研究通过多尺度表征手段(GIXRD、HRTEM、电导率)揭示了界面应变与薄膜性能的构效关系,为异质结薄膜的理性设计提供了新范式。特别值得注意的是,当VO?厚度控制在80nm附近时,样品S4同时达到24%可见光透射率和234Ω电阻切换幅度,这为开发下一代高性能智能窗材料奠定了实验基础。
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