针对6G FR3频段的SiGe BiCMOS功率放大器（PA）的分析与设计：该放大器具有29 dBm的峰值输出功率（PSAT）和40.1%的功率附加效率（PAE）

《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》：Analysis and Design of a SiGe BiCMOS PA for 6G FR3 Band With 29-dBm PSAT and 40.1% PAE

功率放大器在130nm SiGe BiCMOS工艺中实现两-stage差分设计，工作带宽4-11GHz覆盖6G FR3频段，峰值输出功率29dBm，面积1.35mm2，5GHz时PAE达40%以上，支持5G NR-FR1调制且满足EVM和ACLR要求。

　　```html

摘要：

本文介绍了一种采用130纳米SiGe BiCMOS技术实现的瓦级两级差分功率放大器（PA）。该放大器采用堆叠式拓扑结构，在仅使用低压高速（HS）双极型器件且电源电压为3.3伏的情况下，实现了宽频带内的高功率输出。其小信号增益为34.2分贝，带宽覆盖4至11 GHz的范围，几乎涵盖了第六代（6G）新无线电（NR）FR3频谱的全部区域。该放大器无需功率合成即可输出29分贝的峰值饱和功率，芯片面积为