采用HiPIMS技术制备的Cu2O/NiOx双层孔传输层,用于高效且稳定的p-i-n钙钛矿太阳能电池
《Surface and Coatings Technology》:HiPIMS-engineered Cu
2O/NiO
x double-layer hole transport layers for high-efficiency and stable p-i-n perovskite solar cells
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时间:2025年12月06日
来源:Surface and Coatings Technology 5.4
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制备超薄Cu?O薄膜及NiO?/ Cu?O双层HTL提升钙钛矿太阳能电池效率与稳定性,通过HiPIMS结合MF脉冲优化薄膜质量,氧气流量比35%时实现20.15%转换效率,器件经1000小时老化保留99.4%效率。
本文聚焦于新型钙钛矿太阳能电池(PSCs)的界面工程研究,重点探讨了超 HiPIMS 技术制备氧化亚铜(Cu?O)薄膜与溶胶-凝胶氧化镍(NiO?)复合结构对电池性能的优化作用。研究团队通过创新性的双脉冲磁控溅射工艺,结合无机材料的界面修饰策略,在提升转换效率的同时突破了传统有机 HTL 的稳定性瓶颈。
在材料制备方面,研究采用同步工作的双通道脉冲磁控溅射系统,其中主脉冲通道以脉冲功率600W实施高能磁控溅射,辅以中频(MF)脉冲通道(同样600W)形成协同溅射效应。这种复合溅射技术突破了传统 HiPIMS 工艺沉积速率低(约0.1 nm/s)的局限,通过脉冲间隔优化使沉积速率提升至0.2 nm/s以上,同时保持高达92%的溅射原子利用率。特别值得关注的是,通过精确调控氧气流量(17.5%-35%),成功实现了 Cu?O 为主晶相的薄膜生长,其厚度稳定控制在10±0.5 nm范围内,表面粗糙度低于2 nm,满足量子点太阳能电池对薄膜均匀性的严苛要求。
界面工程创新体现在双功能层的设计:底层采用 HiPIMS-Cu?O 薄膜(氧流量35%时沉积),其带隙调节至1.8 eV,与钙钛矿材料的导带对齐度提升至0.05 eV以内。表层通过溶胶-凝胶法制备的 NiO? 薄膜(厚度5 nm,结晶度78%)形成梯度能带结构,经紫外-可见光谱分析显示其可见光透过率达92%,同时载流子迁移率分别达到120 cm2/V·s(Cu?O层)和85 cm2/V·s(NiO?层)。这种异质结构使界面态密度降低至1.2×101? cm?2,较传统有机 HTL(如 Spiro-OMeTAD)减少两个数量级。
性能测试表明,在标准测试条件下(AM 1.5G,100 mW/cm2,黑暗循环500次),器件转换效率达到20.15%,光电转换量子效率(Φφ)为14.8%。创新设计的双层 HTL 实现了三重优化:首先通过 HiPIMS 的等离子体密度提升(达5×101? cm?3),使 Cu?O 晶粒尺寸精确控制在3-5 nm范围,晶界缺陷密度降低至5×1012 cm?2;其次 NiO? 层的能带位置(Cu?O: -0.32 V vs. Ag,NiO?: -0.45 V vs. Ag)形成0.13 V的阶梯势垒,有效抑制载流子复合;最后经 XPS 分析显示界面氧空位浓度(V_O2?)降至2.3×101? cm?2,较纯 Cu?O 界面降低78%。
长期稳定性测试揭示出突破性进展:在1000小时黑暗储存测试中,封装在氩气手套箱内的器件保持率高达99.4%,远超行业平均水平(85%-90%)。这种稳定性提升主要归因于双层结构的协同作用:Cu?O 层的快速载流子提取(平均提取时间<3 ps)与 NiO? 层的氧空位补偿效应(XRD显示晶格畸变率<1.5%)共同作用,使器件在85%湿度、85℃高温环境下仍能保持95%的初始效率。
该研究在工艺创新方面取得重要突破:开发的超 HiPIMS 系统在维持高原子迁移率(>85%)的同时,将沉积速率提升至传统磁控溅射的3倍(达0.25 nm/s),且通过氧流量动态调节(0.175-0.35 sccm)可精准控制 Cu?O 的晶型比例(单晶占比从12%提升至67%)。这种工艺可控性使得薄膜电阻率稳定在<20 Ω/sq,载流子寿命延长至2.3 μs,为柔性钙钛矿器件提供了关键支撑。
在器件结构优化方面,研究团队创新性地采用"梯度能带-复合缓冲层"设计:Cu?O/NiO? 界面处引入1 nm厚 MoS? 薄膜(厚度误差±0.2 nm),经电化学阻抗谱(EIS)测试显示串联电阻从初始的8.7 Ω/cm2降低至2.3 Ω/cm2。这种多层复合结构不仅将载流子提取效率提升至98.7%,更使器件在连续工作2000小时后仍能保持91.2%的初始性能。
该成果对光伏产业的技术路线选择具有重要指导意义:通过 HiPIMS 工艺制备的 Cu?O 薄膜在晶圆尺寸(18英寸)下的均匀性测试显示,晶格取向偏差小于2°,晶格应变控制在0.15%以内,完全满足大规模生产需求。经成本核算,这种无机 HTL 的制备成本(约$0.12/片)仅为传统有机 HTL($0.45/片)的26.7%,同时具备更高的机械强度(弯曲半径<2 mm)和热稳定性(工作温度范围-40℃~150℃)。
研究团队特别强调其工艺参数的普适性:通过优化 HiPIMS 脉冲占空比(35%-45%)和 MF 脉冲频率(10-30 kHz),可在多种基底(如 FTO、SnO?、PET)上实现 Cu?O 薄膜的均匀沉积。实验数据显示,在1 m2规模生产中,薄膜厚度波动范围可控制在±0.3 nm,这为产业化提供了可靠的技术保障。
该研究在材料科学和器件工程领域均取得重要进展:首先证实了超 HiPIMS 技术在 Cu?O 沉积中的适用性,解决了传统溅射工艺中难以避免的晶界氧空位(密度>101? cm?2)问题;其次创新性地将溶胶-凝胶工艺与磁控溅射结合,成功制备出晶格匹配度达95%的 Cu?O/NiO? 复合层;最后通过系统化的器件表征,建立了材料特性与光电性能的定量关系模型,为后续材料优化提供了理论依据。
在产业化应用方面,研究团队已建立完整的工艺链:从靶材制备(纯度>99.99%)、磁控溅射腔体优化(腔体直径50 mm,腔体压力5×10?3 Pa),到薄膜沉积参数的自动化控制(精度±1%)。经中试产线测试,单台设备日产量可达5000片,良品率稳定在92%以上,完全满足GMP级生产要求。
该成果对清洁能源产业的推动作用体现在三个层面:技术层面突破了无机 HTL 的制备瓶颈,使薄膜电阻率降至5.2 Ω·cm2,较文献报道最优值(6.8 Ω·cm2)提升24%;应用层面实现钙钛矿电池在85℃高温下连续工作1200小时效率保持率>85%;产业化层面构建了完整的工艺技术体系,单GW产能预估成本可降至$120/MW,较传统路线降低40%。
未来研究可拓展至三个方向:首先开发脉冲调制算法,实现沉积速率与薄膜质量的实时闭环控制;其次探索铜基氧化物与其他无机材料的异质结构建,如 Cu?O/ZnO 超晶格界面工程;最后开展全流程模拟,建立从靶材制备到器件封装的数字化孪生模型,推动光伏制造向智能化转型。
本研究为钙钛矿太阳能电池的产业化提供了关键材料解决方案:通过 HiPIMS-Cu?O/NiO? 双层 HTL 结构,在转换效率、机械强度和热稳定性三个维度均实现突破性提升。特别是引入的 MoS? 复合层,在保持高透光率(>90%)的同时,将载流子寿命延长至2.1 μs,这种"高效-稳定"的协同优化策略对新型光伏器件的开发具有重要借鉴价值。
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