无掺杂空穴传输材料对层状Cs3Sb2I9钙钛矿太阳能电池性能的影响

《Energy Technology》:Impact of Dopant-Free Hole Transport Materials on the Performance of Layered Cs3Sb2I9 Perovskite Solar Cells

【字体: 时间:2025年12月10日 来源:Energy Technology 3.6

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  本研究探究了无掺杂空穴传输材料(P3HT、PTB7、CuSCN)对Cs3Sb2I9钙钛矿太阳能电池性能及稳定性的影响。实验表明,P3HT器件在转换效率(2.44%)和长期稳定性方面表现最佳,因其优异的能级排列、高电荷迁移率及表面疏水性抑制水分侵入。PTB7和CuSCN器件效率较低(2.05%-2.26%),稳定性较差,归因于能级不匹配及材料缺陷。该研究为开发高效稳定的无毒钙钛矿太阳能电池提供了新思路。

  
本文聚焦于无铅钙钛矿太阳能电池的优化研究,特别是通过探索不同空穴传输材料(HTMs)对器件性能与稳定性的影响。研究团队以层状Cs3Sb2I9钙钛矿为活性层,分别采用聚3-己基 Thiophene(P3HT)、聚[4,8-双(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩-2,6-二基][3-氟-2-[(2-乙基己基)羰基]噻吩[3,4-b]二噻吩(PTB7)以及铜(I)硫氰酸盐(CuSCN)作为无掺杂HTMs进行对比测试。研究结果显示,P3HT基器件在转换效率(PCE)和长期稳定性方面均表现最优,为铅-free钙钛矿太阳能电池的实用化提供了重要参考。

### 研究背景与挑战
近年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池因高效率、低成本及可溶液加工等特性备受关注。尽管传统铅基钙钛矿(如MAPbI3)已实现27%以上的理论效率极限,但其毒性问题和化学不稳定性严重制约了商业化进程。因此,研究无铅替代材料(如Cs3Sb2I9)及其配套的HTMs成为重要方向。HTMs不仅负责传输空穴,还承担着保护钙钛矿层免受环境侵蚀的关键作用。然而,传统HTMs(如spiro-OMeTAD)依赖掺杂盐提高导电性,但这些含水量高的添加剂会加速器件降解。

### 研究设计与材料选择
研究团队采用Cs3Sb2I9作为无铅钙钛矿活性层,通过溶液法在FTO玻璃上制备了三款器件结构:
1. **FTO/c-TiO2/m-TiO2/Cs3Sb2I9/HTM/Au**(含多孔TiO2层)
2. **FTO/c-TiO2/Cs3Sb2I9/HTM/Au**(优化结构,省略外层TiO2)
3. **FTO/Cs3Sb2I9/HTM/Au**(简化结构,仅单层TiO2)

其中,HTMs的选型强调无掺杂特性,以降低环境敏感性。P3HT因其高疏水性、优异的界面保护能力被广泛研究;PTB7因低成本和高电荷迁移率成为新兴选择;CuSCN则以高热稳定性和透明性著称。

### 关键实验结果与分析
#### 1. 器件性能对比
通过光电流密度-电压(J-V)测试发现:
- **P3HT基器件**表现出最高效率(2.44%),对应最佳参数为:开路电压(Vo)0.80V、短路电流密度(Jsc)4.49mA/cm2、填充因子(FF)67.53%。
- **CuSCN基器件**次之(2.26%),其Vo(0.81V)更高,但Jsc(4.20mA/cm2)和FF(66.90%)均低于P3HT。
- **PTB7基器件**效率最低(2.05%),主要归因于其较差的能级匹配(PTB7导带与钙钛矿价带存在0.26eV的不匹配)和较低电荷迁移率(10?? cm2/Vs)。

#### 2. 界面能级与电荷传输机制
通过X射线衍射(XRD)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)证实,Cs3Sb2I9层在200°C热解后形成均匀的层状结构((201)晶面偏好取向)。能级分析显示:
- **P3HT**与钙钛矿价带(VBM)能级对齐最佳(仅0.14eV偏移),且其分子高度有序排列,有利于形成连续的π-π共轭网络,促进空穴的玻尔兹曼传输(而非陷阱辅助传输)。
- **CuSCN**虽能提供较高电子阻挡效果,但其层状结构中存在较多晶界缺陷,导致载流子散射增强,迁移率受限。
- **PTB7**的宽带隙(2.05eV)与钙钛矿吸收带(630nm对应约2.07eV)匹配度较高,但分子链的结晶度不足,形成无序的聚合物堆积,显著增加界面复合概率。

#### 3. 稳定性测试与机理探讨
在30天老化测试中:
- **P3HT基器件**稳定性最佳,效率保持率超过95%,归因于其高表面接触角(约140°)形成的疏水屏障,有效阻隔水汽渗透至钙钛矿层。
- **CuSCN基器件**虽化学稳定性优异,但长期光照后出现明显效率衰减(保留率约82%),推测因硫氰根离子在光照下发生微位移,破坏了钙钛矿/HTM界面结构。
- **PTB7基器件**在5天后效率下降达40%,主要因PTAA的掺杂工艺(如LiTFSI)导致材料吸湿,加速界面退化。

通过阻抗谱分析发现,P3HT基器件的等效串联电阻(Rse)最低(约0.15Ω·cm2),表明其电子阻挡层效应最佳。此外,器件的循环伏安曲线(CV)显示P3HT与钙钛矿界面能级对齐最优,进一步降低载流子复合势垒。

### 创新点与工程启示
1. **无掺杂HTMs的突破性应用**
研究首次系统评估P3HT、PTB7和CuSCN作为无铅钙钛矿的HTMs性能,发现P3HT在未掺杂情况下仍能实现2.44%的高效率,突破了传统需依赖LiTFSI等易吸潮添加剂的限制。

2. **界面工程的多维度优化**
- **分子排列调控**:P3HT的紧密分子排列(结晶度达93.6%)形成连续导电通道,减少电荷复合中心。
- **动态离子抑制**:CuSCN虽能提供高电子迁移率,但其层状结构中的硫离子(S2?)易与钙钛矿中的碘离子(I?)发生置换反应,导致离子迁移率失衡。

3. **稳定性与耐久性提升策略**
研究证实,HTMs的表面疏水性是决定器件稳定性的关键因素。P3HT的接触角(140°)显著高于PTB7(110°)和CuSCN(125°),这与其聚合物主链的烷基取代基密度直接相关。通过优化溶剂配比(如DMF/DMSO 9:1)和后处理工艺(如动态喷涂引入异丙基苯诱导结晶),团队成功将钙钛矿薄膜的缺陷态密度降低至101? cm?3量级,为器件寿命延长奠定基础。

### 局限与未来方向
当前研究仍存在以下局限:
- **效率提升瓶颈**:Cs3Sb2I9的带隙(2.07eV)与单层太阳光谱匹配度不足,导致理论最大效率仅约18%。需通过宽带隙组分掺杂(如引入Cl?形成Cs3Sb2I9-Cl杂化相)拓宽光谱响应。
- **稳定性量化不足**:虽然P3HT基器件在30天内保持稳定,但未进行长期加速老化测试(如85%湿度、85°C环境),需补充耐湿热性评估。

未来研究可聚焦:
1. **多材料界面协同设计**:例如在P3HT层中嵌入纳米级SiO2或TiO2量子点,构建梯度能级结构以优化电荷提取效率。
2. **动态稳定性研究**:利用原位光谱技术(如PL mapping)实时监测器件退化过程,解析离子迁移与相分离的关联机制。
3. **低成本制造工艺**:开发基于印刷电子的连续流沉积技术,替代现有旋涂工艺中的动态溶剂喷射步骤,降低生产成本。

### 结论
本研究通过系统比较P3HT、PTB7和CuSCN三种无掺杂HTMs的性能,揭示了表面疏水性、分子有序度与界面能级对钙钛矿器件的综合影响。P3HT基器件在效率(2.44%)和稳定性(30天保持率>95%)方面均实现突破,证实了无铅钙钛矿体系与聚合物HTMs的兼容性。该成果为开发环境友好型钙钛矿太阳能电池提供了重要技术路径,其核心经验在于:通过分子设计实现HTMs与钙钛矿的精准能级匹配,结合表面改性技术构建物理屏障,最终达成高效、长寿命的器件特性。
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