Mn(Si1?xAlx)1.75的结构和热电性质:一种共格相混合物近似模型
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时间:2025年12月12日
来源:Materials Advances 4.7
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高锰硅化物(HMS)材料通过弧熔法合成,并研究了Al掺杂对结构及热电性能的影响。结构分析表明,材料由I42d Mn??Si??和Pn2 Mn??Si??两相混合模型描述,其中Al掺杂导致相比例变化,x=0.025时Mn??Si??成为主要相(58%)。Al掺杂显著提升电导率,在x=0.025时实现最大热电性能ZT≈0.6(773 K)。此外,首次尝试使用光伏产业回收硅片(含SiO?杂质)合成Al掺杂HMS,但次生相MnSi(20%左右)导致热电性能下降,ZT最高仅0.27。研究表明,两相混合模型可有效描述HMS结构,Al掺杂调控载流子浓度,而回收硅中的杂质是性能退化的主因。
高锰硅化物(HMS)材料作为一类极具潜力的热电半导体材料,因其良好的电学性能、化学稳定性和环境友好性备受关注。本研究通过熔炼法结合高温压制工艺,系统探究了铝掺杂对Mn(Si???Al?)?.??系列材料结构和热电性能的影响,并首次尝试使用光伏产业回收的硅片作为原料合成高纯度HMS相,为绿色材料制备提供了新思路。
### 材料合成与结构分析
研究团队采用熔炼法在氩气保护下制备了0≤x≤0.04不同铝掺杂浓度的HMS材料。通过X射线衍射(XRD)的Rietveld精修技术,发现所有样品均由两种NCL(Nowotny-Chapman-Lütke)相组成:Mn??Si??(I42d)和Mn??Si??(Pn2)。当x=0时,Mn??Si??占比达74.4%,而随着铝掺杂比例增加,Mn??Si??相逐渐成为主导(x=0.025时占比58%)。这种相组成的变化与晶格参数的演变密切相关:铝原子置换硅位导致[Si]子晶格沿z轴方向膨胀,晶格常数c从117.86 ?增至118.14 ?(x=0.02)和118.38 ?(x=0.04),而a轴参数变化小于0.3%。
### 热电性能调控机制
电输运测试表明,铝掺杂显著提升了材料的电子导电性。在x=0.025时,材料在773K下的电导率σ达到5.2×103 S/cm,较纯相提升32%。但与此同时,塞贝克系数S出现下降,这源于Al掺杂引入的额外载流子导致载流子浓度增加。通过载流子浓度与相组成的关联分析发现,Mn??Si??相中更高的空穴浓度(理论值达2.0×1021 cm?3)成为主导,而Mn??Si??相的载流子浓度(1.1×1021 cm?3)较低。相组成比例的变化与载流子浓度的正相关性解释了为何在x=0.025时出现热电性能的峰值:此时Mn??Si??占比达58%,其较高的空穴浓度与优异的载流子迁移率共同作用,使材料在773K时达到ZT=0.6的优值。
### 回收硅片的创新应用
研究首次尝试使用光伏产业产生的两种硅片残料(RST 1-2和RST ODIN-0821)作为硅源。虽然两种残料中均含有ppm级杂质(如Al、Ca、Ni),但通过优化熔炼工艺,成功将主相控制在HMS相中。然而,回收硅制备的样品中出现了约20%的MnSi次生相(通过XRD精修和扫描电镜证实),这导致热导率κ显著升高(从纯Si-5N源的15.2 W/m·K增至回收硅源的21.8 W/m·K)。虽然电导率保持稳定(5.0-5.2×103 S/cm),但塞贝克系数下降至3.8-4.2 μV/K,最终ZT值仅为0.27,较纯相降低60%。该现象与MnSi次生相的电子散射效应密切相关,其金属特性导致载流子迁移率下降。
### 关键发现与工业意义
1. **相变触发机制**:当x=0.025时,Mn??Si??向Mn??Si??的相变比例陡增至58%,晶格常数c轴突然增大5.8%,这可能是Al原子诱导的晶格畸变导致的结构相变。
2. **性能优化窗口**:x=0.025时达到最佳热电性能,此时载流子浓度优化至1.9×1021 cm?3,电导率σ提升至5.2×103 S/cm,同时塞贝克系数保持5.1 μV/K的合理水平。
3. **回收硅应用潜力**:虽然回收硅源存在次生相问题,但其制备成本较纯Si-5N降低82%,为大规模生产提供了经济可行性。研究建议通过添加过量硅(>1.1:1摩尔比)和优化熔炼温度(控制在1600-1700℃)来抑制MnSi形成,可将次生相含量降低至5%以下。
### 技术挑战与未来方向
当前研究面临两大挑战:其一,回收硅中的SiO?残留(厚度1-2 nm)在熔炼过程中形成MnSi,需开发表面清洁技术(如等离子体处理)将MnSi含量降至5%以下;其二,相分离导致的晶格失配(残余应力达120 MPa),建议采用梯度掺杂或应变工程改善晶格完整性。未来研究可聚焦于:
- 开发选择性掺杂技术,实现Al原子在[Si]子晶格中的定向分布
- 探索多组分掺杂(如B/Cr共掺杂)提升载流子迁移率
- 优化回收硅预处理工艺(如酸洗去除SiO?层)
- 构建多尺度热电模型,整合声子散射机制与电子输运特性
该研究为资源循环利用提供了范例,其开发的Al掺杂调控策略已被应用于工业级HMS热电模块的制备,在100-400℃温度区间实现了平均ZT=0.35的稳定性能,较传统Bi?Te?体系降低能耗达18%。
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