《Radiation Measurements》：TL/OSL emission spectrometry of alumina substrates of electronic components in mobile phones: potential of the red TL emission for retrospective dosimetry
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手机电路板电阻器与电感器经亚红光清洗和超声处理后的光致发光光谱分析显示三个发射带：320-330 nm、410-430 nm和695 nm。前两者与α-Al?O?中的F和F?中心相关，后者结构明确。研究揭示了电子元件老化过程中铝基材料的辐射损伤特性。
Clemens Woda | Michael Discher
亥姆霍兹慕尼黑中心，放射医学研究所，Ingolst?dter Landstra?e 1，85764 Neuherberg，德国
部分内容摘录
材料与方法
研究是在从几部手机电路板以及从AGL Technology GmbH（制造商：YAGEO）获得的样品套件中提取的电阻器和电感器上进行的。样品制备在弱红光条件下进行，以避免来自更深层陷阱的光传输（Ademola和Woda，2017）。电子元件在含有丙酮的超声波浴中清洗约15-20分钟，以去除用于将元件固定在电路板上的粘合剂。
热释光/光致发光发射光谱
图2以三维等轴图和等高线图的形式展示了从样品套件中提取的10个电阻器和10个电感器的热释光（TL）发射光谱。直接从手机中提取的电子元件也观察到了类似的光谱。对于电阻器，可以看到一个在695纳米处有明显峰值的主发射峰，以及在大约200°C和330°C处有两个TL峰值。这些峰值温度与蓝色光下测量的电阻器的热释光曲线报告中的温度相似。
总结与结论
对智能手机电路板上电阻器和电感器氧化铝基底的热释光（TL）和光致发光（OSL）发射光谱的测量与分析表明，在与光电倍增管（PMT）测量相关的波长范围内存在三个发射带。这些发射带分别位于320-330纳米、410-430纳米和695纳米。前两个发射带与α-Al?O?中的F和F?中心的发射特性相符，而后者的信号结构则可以明确区分这些中心。
CRediT作者贡献声明
Clemens Woda：撰写初稿、可视化处理、方法设计、实验研究、数据分析、概念构思。Michael Discher：审稿与编辑、实验研究、概念构思
未引用的参考文献
Ayobami Ademola和Woda，2017；Geber-Bergstrand等人，2018。
资金来源
本研究未获得公共部门、商业机构或非营利组织的任何特定资助。
利益冲突声明
作者声明他们没有已知的可能会影响本文所述工作的财务利益或个人关系。
致谢
我们感谢Freiberg Instruments GmbH允许我们在其设备上进行测试测量，以找到最适合进行红光热释光测量的检测器。同时，我们也感谢两位审稿人的意见，他们的评论显著提高了手稿的质量。
