改进的ESDFET紧凑模型，考虑了瞬态效应、温度效应和体偏压效应

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Improved ESDFET Compact Model Incorporating Transient, Temperature, and Body Bias Effects

【字体： 大 中 小 】 时间：2025年12月12日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2