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基于对电子散射机制的全面理解，对SiC(0001) n沟道MOSFETs的建模

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Modeling of SiC(0001) n-Channel MOSFETs Based on Comprehensive Understanding of Electron Scattering Mechanism

【字体： 大 中 小 】 时间：2025年12月12日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

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摘要：

在这项研究中，我们系统地分析了4H-SiC(0001) MOS通道中的电子散射机制，并为SiC n型MOSFET开发了一个基于物理原理的模型。通过MOS-Hall效应测量，在200–400 K的温度范围内，我们确定了不同p型体掺杂浓度（<
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