LDMOS器件中通道几何结构与自热效应导致的载流子退化之间的权衡

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《IEEE Transactions on Electron Devices》：Trade-Off Between Channel Geometry and Self-Heating Related Hot Carrier Degradation in LDMOS Devices

【字体：大中小】 时间：2025年12月12日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

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　　Si n型横向双扩散MOSFET器件在交流应力下的自热效应与热载流子注入行为研究显示，沟道尺寸缩小导致阈值电压下降更显著，但饱和漏极电流退化加剧，主要源于门重叠区电离率降低和n漂移区晶格温度升高。该发现揭示了自热效应对热载流子注入可靠性的复杂影响，需通过沟道几何优化平衡两者效应。

摘要：

在这项研究中，利用多物理场分析平台对Si n型横向双扩散MOSFET（n-LDMOS）器件中的自热效应（SHE）和热载流子注入（HCI）行为进行了评估，该平台结合了瞬态热反射（TR）成像技术和快速多脉冲IV（MPIV）测量方法。研究发现，具有较短沟道长度和较宽沟道宽度的n-LDMOS器件表现出更明显的SHE现象，这导致阈值电压（TH）下降，但在交流应力条件下饱和漏电流（

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