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通过调控基于三苯胺的空穴传输材料的电子结构和电荷传输特性,以实现高性能钙钛矿太阳能电池
《Journal of Computational Electronics》:Tailoring the electronic structure and charge transport in triphenylamine-based hole transporting materials for high-performance perovskite solar cells
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年12月14日 来源:Journal of Computational Electronics 2.5
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四类三苯胺基hole传输材料(M1-M4)通过硫杂环丁二烯桥接受体工程优化,展现出更负的HOMO能级(-5.10至-5.18 eV)、高溶解性(3.5-5.2 mg/mL)、窄带隙(2.20-2.31 eV)、宽吸收(395-463 nm)及低重组能(0.15-0.20 eV)。TDM分析证实其激子解离度提升(D^2值达1.12-1.26),电子耦合降低,M1器件开路电压达2.51 eV,验证了该工程策略对钙钛矿太阳能电池效率提升的有效性。
具有均匀薄膜、适当的能带对齐、高空穴迁移率以及可加工性的空穴传输材料(HTMs)对于高效钙钛矿太阳能电池(PSCs)至关重要。在本研究中,我们设计并研究了四种基于三苯胺的HTMs(M1至M4),采用了噻吩桥接的受主工程方法。实验结果表明,与参考HTM(R)相比,M1–M4 HTMs具有更负的HOMO能级、更高的溶解度、更窄的带隙以及最大吸收波长范围在395至463纳米之间,并且重组能量更低。经过工程改造的M1至M4 HTMs表现出更低的结合能值,尤其是那些含有吸电子基团的HTMs,这表明它们的激子解离能力增强,电荷传输性能得到改善。时间依赖性密度(TDM)分析进一步证实了这些HTMs具有更高的激子解离效率和更低的电子耦合效应。所研究HTMs的开路电压分别为:R为2.21 eV,M1为2.51 eV,M2为2.46 eV,M3为2.49 eV,M4为2.44 eV,这凸显了它们作为PSCs理想材料的潜力。引入噻吩桥接的末端受主被证明是开发高效PSCs材料的有效策略。因此,经过工程改造的M1至M4 HTMs在太阳能领域具有显著的应用前景。

具有均匀薄膜、适当的能带对齐、高空穴迁移率以及可加工性的空穴传输材料(HTMs)对于高效钙钛矿太阳能电池(PSCs)至关重要。在本研究中,我们设计并研究了四种基于三苯胺的HTMs(M1至M4),采用了噻吩桥接的受主工程方法。实验结果表明,与参考HTM(R)相比,M1–M4 HTMs具有更负的HOMO能级、更高的溶解度、更窄的带隙以及最大吸收波长范围在395至463纳米之间,并且重组能量更低。经过工程改造的M1至M4 HTMs表现出更低的结合能值,尤其是那些含有吸电子基团的HTMs,这表明它们的激子解离能力增强,电荷传输性能得到改善。时间依赖性密度(TDM)分析进一步证实了这些HTMs具有更高的激子解离效率和更低的电子耦合效应。所研究HTMs的开路电压分别为:R为2.21 eV,M1为2.51 eV,M2为2.46 eV,M3为2.49 eV,M4为2.44 eV,这凸显了它们作为PSCs理想材料的潜力。引入噻吩桥接的末端受主被证明是开发高效PSCs材料的有效策略。因此,经过工程改造的M1至M4 HTMs在太阳能领域具有显著的应用前景。

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