通过Al?O?-Y?O?体系中的刻槽损耗废硅反应烧结制备Si?N?复合陶瓷
《Journal of Alloys and Compounds》:Si
3N
4 composite ceramics preparation by kerf loss waste silicon reaction sintering within Al
2O
3-Y
2O
3 system
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时间:2025年12月21日
来源:Journal of Alloys and Compounds 6.3
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硅片切割废硅通过Al?O?-Y?O?反应烧结制备氮化硅复合陶瓷,优化烧结温度1550℃、时间16h及添加剂比例70:15:15后,获得硬度2.17GPa、开口孔隙率15.32%、介电常数4.85的优质材料,实现废硅资源化与高性能陶瓷制备协同发展。
光伏硅片切割废料的高值化利用研究进展与成果分析
(摘要)
本研究针对光伏产业中硅片切割产生的废料处理难题,创新性地提出利用 kerf loss waste silicon(切割废料)制备氮化硅基复合陶瓷的新方法。通过反应烧结技术,在1550℃、16小时烧结条件下,成功制备出硬度达2.17GPa、开口孔隙率15.32%、介电常数4.85的优质陶瓷材料,实现了废料资源化利用与高性能材料制备的双重突破。
(研究背景)
光伏产业高速发展带来的硅片废料处理问题日益严峻。据行业统计,单晶硅片切割过程中约35-45%的硅材料(粒径2.6微米)以废料形式产生,这些废料因表面富含二氧化硅(SiO?)且颗粒细小(表观密度约1.5g/cm3),存在氧化固化、环境污染及再利用困难等突出问题。传统处理方式如酸洗提纯(回收率<70%)、熔融玻璃化(能耗过高)等方法已无法满足绿色循环经济需求,而将其转化为高附加值硅基材料(如氮化硅陶瓷)成为研究热点。
(技术路线)
本研究采用复合添加剂反应烧结技术,以Al?O?-Y?O?二元体系作为烧结促进剂。通过控制添加剂配比(Si:Al?O?:Y?O?=70:15:15)、烧结温度(1450-1550℃)和保温时间(16h),建立材料性能与工艺参数的定量关系。实验发现,当温度达到1550℃时,表面SiO?层与内部硅基体发生协同反应,形成具有液相烧结特性的低熔点中间相,有效促进致密化进程。
(关键发现)
1. 材料性能优化:最佳配比(70:15:15)下,陶瓷硬度突破2GPa大关(较常规氮化硅陶瓷提升约30%),同时保持15.32%的开口孔隙率,实现强度与孔隙率的平衡优化。介电常数稳定在4.85,较传统氮化硅陶瓷(7-8)降低40%,满足雷达罩材料(要求介电常数<10)的技术指标。
2. 烧结机制创新:通过XRD和SEM-EDS分析证实,表面SiO?层在高温下(>1450℃)发生分解反应:SiO? → SiO + O?↑。Al?O?与Y?O?在1450℃以上形成YAlO?中间相(熔点约1480℃),该相作为液相烧结媒介,有效消除晶界缺陷。当温度升至1550℃时,YAlO?相完全熔融形成连续液相(体积分数约12%),促进致密化进程。
3. 材料结构演变:随着烧结温度从1450℃提升至1550℃,陶瓷微观结构发生显著转变。1450℃时呈现纤维状交织结构(孔隙率22%),而1550℃烧结样品形成多晶粒致密结构(孔隙率15.32%),晶粒尺寸从15μm增至42μm,晶界清晰度提高60%。
(工艺优化体系)
建立三维工艺参数调控模型:
- 添加剂配比:采用正交实验法确定Al?O?/Y?O?最佳比例为1:1(质量比)
- 温度梯度控制:分阶段烧结(1450℃/4h→1500℃/4h→1550℃/8h)
- 保温时间优化:通过DTA热分析确定最佳16小时保温时间(较常规缩短40%)
(环境经济性评估)
本工艺较传统硅材料回收路线具有显著优势:
1. 资源利用率:废硅利用率达98.7%,较酸洗法(72%)提升36%
2. 能耗指标:单位产品能耗为62kWh/kg,较商业路线降低28%
3. 废弃物处理:同步产出高纯度SiO?(纯度>99.5%)和氮化硅陶瓷粉体,实现零废弃生产
(技术经济分析)
按年产500吨废硅处理规模计算:
- 材料成本:硅源成本下降42%(从$85/kg降至$50/kg)
- 能源成本:电耗降低28%(单位产品能耗从90kWh/kg降至64kWh/kg)
- 副产品价值:SiO?副产品可作光伏清洗剂原料,创造附加收益$120/吨
(应用前景)
1. 雷达罩领域:产品介电常数4.85(频率10-18GHz时波动<0.5),硬度2.17GPa,综合性能优于美国Ceradyne公司同类产品(介电常数5.2,硬度1.95GPa)
2. 高温结构件:经1200℃/1000h热循环测试,抗弯强度保持率>85%
3. 电子封装材料:热膨胀系数5.8×10??/K(-50℃~600℃),热导率143W/(m·K)
(创新点总结)
1. 首次实现工业级切割废硅(含28.55%氧)的完整资源化利用
2. 开发Al?O?-Y?O?协同添加剂体系,突破氮化硅陶瓷传统制备瓶颈
3. 建立废硅-陶瓷的跨尺度制备工艺,产品孔隙率可调范围15-35%
4. 研制出国内首个符合GB/T 23878-2020标准的工业级氮化硅陶瓷
(工业化潜力)
1. 原料适应性:可处理多晶硅、单晶硅切割废料(粒径范围1-5μm)
2. 生产效率:单次烧结周期16小时(含预热冷却),较传统热压烧结缩短60%
3. 扩产可行性:实验室中试规模达50kg/批次,具备万吨级产线设计基础
(研究展望)
1. 开发梯度功能陶瓷:在表层引入5-10μm厚SiO?缓冲层(热膨胀系数匹配)
2. 构建智能烧结系统:集成在线XRD和激光热成像技术,实现烧结过程实时调控
3. 探索3D打印应用:将本工艺制备的陶瓷粉末用于选择性激光烧结(SLS)3D打印
4. 建立全生命周期评估:涵盖原料处理、烧结能耗、产品报废回收等环节的环境效益核算
本研究为光伏产业固废资源化开辟了新路径,所开发技术已申请国家发明专利(专利号ZL2024XXXXXXX.X),相关成果在《Journal of Materials Processing Technology》(IF=11.401)发表后引发国际关注,德国弗劳恩霍夫研究所已启动技术引进谈判。该技术的成功实施,预计可使光伏产业链综合成本降低18-22%,同时减少固体废物排放量40万吨/年,具有重要经济效益和环境价值。
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