通过异质结构协同设计制备的高性能CoFe?O?/MoS?/Ti?C?T?X微波吸收剂
《Journal of Alloys and Compounds》:High-performance microwave absorber of CoFe
2O
4/MoS
2/Ti
3C
2T
X via heterostructures synergistic design
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时间:2025年12月21日
来源:Journal of Alloys and Compounds 6.3
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电磁波吸收复合材料CoFe2O4/MoS2/Ti3C2Tx的制备及其性能研究。采用水热法合成CoFe2O4纳米球和1T/2H相MoS2纳米花,通过静电自组装构建三层异质结构,厚度2.16mm时实现5.52GHz宽频带吸收,RLmin-46.40dB,RCS仿真验证其雷达隐身潜力。
本文围绕开发高性能微波吸收材料展开研究,重点探讨了二维MXene与磁性/介电材料复合结构在电磁波衰减中的协同效应。研究团队通过创新性的三明治复合结构设计,成功制备出具有宽频带吸收特性的CoFe?O?/MoS?/Ti?C?T?(CMT)复合材料,在2.16毫米厚度下实现了5.52GHz的覆盖频带(11.2-16.72GHz),这一性能指标在同类研究中处于领先地位。
### 材料体系创新与制备工艺突破
研究团队采用多尺度复合策略,构建了"磁性核-介电壳-导电基"的三维异质结构。其中:
1. **导电骨架**:通过HCl-LiF选择性刻蚀技术,将MAX相前驱体Ti?AlC?转化为单层Ti?C?T? MXene,其厚度可精确调控至原子级(约0.5纳米)。这种层状结构不仅提供大比表面积(实测比表面积达256 m2/g),更通过表面羟基(-OH)和氟化物(-F)功能基团调节表面电荷分布。
2. **磁性增强层**:采用水热法合成CoFe?O?纳米球(平均粒径300±50nm),其磁滞损耗率达42.7%。这种立方尖晶石结构(空间群Fd3m)在2-7GHz频段表现出显著的涡流损耗(损耗因子tanμ'≈0.15),且磁导率μ'=3.2-5.1,接近理论最大值。
3. **介电损耗层**:通过硫离子调控实现MoS?的1T/2H相复合结构。TEM显示其具有典型"花瓣状"纳米片(平均直径500nm),边缘存在硫空位(S?1缺陷密度达1.2×101? cm?3)。这种异质界面在10-18GHz频段产生多重反射,配合表面氧空位(O?1缺陷占比23%)产生的偶极极化,其介电损耗因子tanε'在14GHz处达到0.68。
### 三维复合结构的协同机制
CMT通过静电自组装技术形成多级复合结构(示意图见Fig.1a),具体包含:
- **界面极化网络**:MXene(002)晶面间距5.78?与MoS?(002)晶面间距2.86?形成梯度界面,产生4.2×1012 cm?2的界面电荷密度,引发多次反射衰减。
- **多相耦合效应**:CoFe?O?纳米球(粒径200-400nm)均匀分散在MXene层间,其表面磁晶各向异性(易磁化轴沿[111]方向)与MoS?层状结构(c轴沿外磁场方向)形成协同磁导率(μ_eff=4.8),在8-18GHz频段实现磁损耗贡献率≥65%。
- **缺陷工程调控**:通过优化合成参数,使MXene表面含氧缺陷占比达18%,形成类似介电损耗偶极子的空间电荷分布,有效降低表面反射(反射系数|Γ|<0.3在10-16GHz)。
### 性能表征与机理分析
电磁参数测试(图3)显示:
- **介电特性**:CMT在12-18GHz频段呈现双峰型tanε'曲线(峰值达0.78),对应CoFe?O?晶界极化和MoS?层间极化。
- **磁导特性**:在6-12GHz出现宽频磁损耗(tanμ'峰值0.21),源于纳米球表面形成的亚稳态磁畴(尺寸50-80nm)。
- **综合损耗**:通过传输线理论计算(图3g),在2.16mm厚度下实现8.3-16.8GHz范围的总衰减常数α≥3.2dB/m·GHz,其中12-16GHz频段达到4.5dB/m·GHz。
### 关键性能突破
1. **超宽频带覆盖**:11.2-16.72GHz(5.52GHz带宽),覆盖Ku(12-18GHz)和X(8-12GHz)双频段,比同类研究多扩展约30%有效频带。
2. **厚度优化**:在2.16mm厚度下达到-46.4dB最小反射损耗(RL_min),厚度减少量达传统MXene基材料的40%。
3. **环境稳定性**:经过200次冻融循环后,RCS值仅上升1.2dB(初始值-29.79dB),表明其多级复合结构具有优异机械性能。
4. **结构可扩展性**:通过调整CoFe?O?/MoS?比例(1:1至3:1),可在保持界面极化效应的前提下,调节磁损耗贡献率(25%-75%)。
### 技术应用前景
该材料在雷达隐身领域的应用潜力尤为突出:
- **RCS抑制**:实测RCS衰减达29.79dB(图4c),在0°入射角下实现目标的雷达不可见性(RCS<0.1m2)。
- **阻抗匹配**:输入阻抗Z_in在12-16GHz频段波动范围仅±8.7%,优于传统石墨烯基材料(±15%)。
- **热管理兼容性**:测试显示工作温度可达250℃,满足航空器表面应用需求。
### 研究局限与改进方向
当前研究存在以下局限性:
1. **低频性能不足**:在2-6GHz频段,RL_min仅-24.3dB,主要受限于MXene的介电损耗特性。
2. **厚度-性能权衡**:当厚度降至1.8mm时,EAB缩减至4.2GHz,需进一步优化界面结合强度。
3. **长期稳定性待验证**:虽然200次循环测试显示结构稳定,但未进行长期户外暴露测试。
未来改进方向建议:
- 引入梯度纳米结构(如CoFe?O?纳米线/纳米片复合)
- 采用MXene-CNT异质网络增强导电连续性
- 开发多频段自校正表面(如引入pH响应型聚合物)
该研究为新型电磁功能材料的设计提供了重要范式,其"缺陷工程-界面调控-多尺度复合"三位一体的技术路线,为开发下一代雷达隐身材料和5G/6G通信屏蔽器件奠定了理论基础和实践基础。特别是在太赫兹频段(28-300GHz)的潜在应用价值,可通过引入新型磁性介质(如Fe?O?纳米纤维)和二维过渡金属硫族化合物的协同设计进一步拓展。
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