一种具有并行延迟采样的面积效率高的噪声整形SAR ADC
《IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems》:An Area-Efficient Noise-Shaping SAR ADC With Parallel-Delayed Sampling
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时间:2025年12月23日
来源:IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 3.1
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提出一种基于并行延迟采样(PDS)的噪声整形SAR ADC,通过多周期残压采样减少积分电容面积,并采用预放大器避免信号衰减。130nm工艺下,16OSR实现80.93dB SNDR,23.46μW功耗,4.2NS/面积效率因子,170.13dB FoM。
摘要:
本文介绍了一种采用并行延迟采样(PDS)技术的面积高效噪声整形(NS)连续逼近寄存器(SAR)模拟-to-digital转换器(ADC)。该转换器通过多个ADC转换周期对残余电压进行采样,从而增强噪声整形效果,无需使用传统级联无源积分器所需的大容量积分电容。在采样电容与积分器之间加入前置放大器,以防止信号衰减,并进一步减小积分器的面积。PDS和前置放大器为噪声传递函数(NTF)引入了两个左半平面极点,以增强噪声整形效果,同时降低寄生电容的影响,从而提升系统鲁棒性。使用130纳米CMOS工艺设计了一个9位NS-SAR ADC原型。在16倍的过采样比(OSR)下,该ADC实现了80.93分贝的峰值信噪比和失真比(SNDR),噪声整形效率为4.2 NS/面积。其功耗为23.46 μW,在19.53 kHz的带宽范围内工作,其Schreier优值(FoM)为170.13分贝。
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