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Ba-Si正硅酸盐氧氮氢化物中阴离子空位介导N2高效合成氨:突破过渡金属依赖的催化机制
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年02月18日 来源:Nature Chemistry 19.2
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本研究针对传统氨合成依赖过渡金属(TM)催化剂的瓶颈,通过设计Ba3SiO5-xNyHz氧氮氢化物,首次实现TM-free条件下阴离子空位(Va)介导的N2直接活化。该材料在300°C实现40.1 mmol g-1h-1的创纪录合成速率,Ru负载后通过界面Va形成而非传统N≡N解离机制,为绿色氨合成提供新范式。
氨合成作为支撑全球粮食生产与能源存储的核心反应,一个多世纪以来始终依赖铁基或钌基过渡金属(TM)催化剂。这些材料虽能解离顽固的N≡N三键(解离能高达941 kJ/mol),却面临苛刻反应条件(400-500°C,15-25 MPa)和TM资源稀缺的双重桎梏。更令人困扰的是,传统Mars-van Krevelen机制中,氧化物载体仅作为电子传输媒介,真正的催化活性仍完全取决于TM位点。能否打破这种"过渡金属依赖魔咒",让氧化物自身成为N2活化的主角?
东京工业大学(Tokyo Institute of Technology)的Zhujun Zhang、Hideo Hosono团队在《Nature Chemistry》发表突破性研究,报道了一种Ba-Si正硅酸盐氧氮氢化物Ba3SiO5-xNyHz,首次实现TM-free条件下通过阴离子空位(Va)直接活化N2。该材料在400°C持续150小时稳定产氨(0.37 mmol g-1h-1),Ru负载后速率飙升至27.1 mmol g-1h-1(400°C),优化后的高比表面积催化剂更创下40.1 mmol g-1h-1(300°C)的行业新标杆。
研究团队采用四大关键技术:1)低温固相反应法(400-700°C)合成含高密度N3-/H-的Ba3SiO5-xNyHz;2)结合1H/29Si MAS NMR(魔角旋转核磁共振)与同步辐射XAFS(X射线吸收精细结构)解析异质阴离子分布;3)15N2同位素标记与质谱联用追踪N2活化路径;4)原位DRIFTS(漫反射红外傅里叶变换光谱)捕获N2吸附中间体。
【合成与表征】
通过Ba(NH2)2与SiO2的低温氨热反应,成功制备含3.74 mmol g-1 H-和1.60 mmol g-1 N3-的Ba3SiO2.87N0.80H1.86。XRD显示晶格膨胀9%(ΔV/V0),29Si NMR在-53.6 ppm出现SiO2NH特征峰。650°C热处理后,EPR检测到g=1.967的未配对电子信号(密度1.1×1020 cm-3),证实Va位点形成。
【氨合成性能】
TM-free催化剂在400°C持续产氨150小时,总氨量(5.25 mmol)远超晶格N3-储量(0.16 mmol)。Ru负载后活性提升73倍,但同位素实验揭示关键差异:Ru/Ba3SiO5-xNyHz的15N2-IER(同位素交换反应)速率仅为Ru/MgO的1/20,证实Ru不参与N2解离,而是促进界面Va形成(晶格15N3-占比达37%)。
【反应机制】
原位DRIFTS捕获到1,985 cm-1(N=N)和1,439 cm-1(N=N)特征峰,15N2置换实验显示同位素位移(1,439→1,390 cm-1),证实Va位点通过电子回馈弱化N≡N键。DFT计算显示Ru使N空位形成能(ENV)从-0.87 eV降至-1.21 eV,氢化路径中NNH→NNH2(能垒1.18 eV)为决速步。
这项研究颠覆了"过渡金属是N2活化必要条件"的传统认知,提出"阴离子空位介导的电子回馈"新机制。其意义不仅在于创纪录的催化效率,更开辟了设计TM-free催化剂的新思路——通过调控晶格阴离子动态平衡(H-/N3-?Va)实现温和条件下小分子活化。该策略可拓展至CO2还原、烷烃活化等领域,为绿色化学提供全新工具包。
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